Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD300TLT120C2S, Модуль IGBT, 3-уровневый в одном корпусе, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 300А;3-уровневый в одном пакете

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300TLT120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , 1200V 300A, 3-уровневый в одном корпусе, произведено STARPOWER.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175°C
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

  • Солнечная энергия
  • Система бесперебойного питания (UPS)

ti ,T2 IGBT т C =25 если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD300TLT120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер @ T j =25

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25

@ T C = 100

480

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

600

A

Р - Да.

Общее рассеяние мощности @ T j =175

1630

В

Не характеризуется

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25

400

НД

О характеристиках

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , т j =25

5.0

5.8

6.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25

1.70

2.15

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125

2.00

Смена характеристик

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =25

250

NS

т р

Время нарастания

90

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

550

NS

т F

Время спада

130

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

16.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

29.4

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,4Ω,

в GE =±15В, т j =125

300

NS

т р

Время нарастания

100

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

650

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

25.1

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

43.9

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

21.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.98

НФ

Q g

Сбор за вход

в CC = 600 В,I C = 300A, в GE =-15 +15В

2.8

nC

р Гинт

Внутренний резистор шлюза

2.5

Ω

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1200

A

ti ,T2 Диод т C =25 если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD300TLT120C2S

Единицы

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение @ T j =25

1200

в

Я F

Прямой ток

300

A

Я ФРМ

Повторяющийся пик прямого тока t Р =1 мс

600

A

Характеристики Ценности

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300A,

в GE =0В

т j =25

1.65

2.15

в

т j =125

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

Я F = 300A,

в р =600 В,

р g = 2,4Ω,

в GE = 15 В

т j =25

30

μC

т j =125

55

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25

210

A

т j =125

270

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25

13.9

mJ

т j =125

26.1

T3,T4 IGBT т C =25 если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD300TLT120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25

650

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер @ T j =25

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25

@ T C = 100

480

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

600

A

Р - Да.

Общее рассеяние мощности @ T j =175

1071

В

Не характеризуется

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25

650

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25

400

НД

О характеристиках

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =13,2 mA ,в СЕ = в GE , т j =25

5.5

7.7

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25

1.50

1.95

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =175

1.80

Смена характеристик

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,5Ω,

в GE =±15В, т j =25

125

NS

т р

Время нарастания

320

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

270

NS

т F

Время спада

135

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

3.20

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C = 300A, р g = 2,5Ω,

в GE =±15В, т j =125

110

NS

т р

Время нарастания

320

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

320

NS

т F

Время спада

145

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

3.50

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.8

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

25.9

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.68

НФ

Q g

Сбор за вход

в CC =300V,I C = 300A, в GE =15В

590

nC

р Гинт

Внутренний резистор шлюза

1.0

Ω

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т j =125 °C,V CC =360V, в СМК ≤650V

3600

A

T3,T4 Диод т C =25 если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ

Описание

GD300TLT120C2S

Единицы

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение @ T j =25

650

в

Я F

Прямой ток

300

A

Я ФРМ

Повторяющийся пик прямого тока t Р =1 мс

600

A

Характеристики Ценности

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300A,

в GE =0В

т j =25

1.40

1.80

в

т j =125

1.40

Q р

Восстановленная зарядка

Я F = 300A,

в р = 300 В,

р g = 4,7Ω,

в GE = 15 В

т j =25

12.0

μC

т j =125

21.2

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25

153

A

т j =125

185

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25

2.65

mJ

т j =125

5.12

Модуль IGBT

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (для T1, T2 IGBT)

Соединение с корпусом (на T1,T2) Диод)

Соединение с корпусом (для T3, T4 IGBT)

Соединение с корпусом (на T3,T4) Диод)

0.092

0.158

0.137

0.236

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

0.035

K/W

т jmax

Максимальная температура стыка

175

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40

150

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40

125

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес Модуль

340

g

Основные положения

image(a7f8d9193b).png

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000