Модуль IGBT, GD1600SGT120C3S, STARPOWER

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT, GD1600SGT120C3S, STARPOWER

1200В 1600А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD1600SGT120C3S

Введение
Основные положения

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 1600А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Возможность короткого замыкания 10 мкм
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

Конверторы высокой мощности
Водители
Ветряные турбины

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Описание	GD1600SGT120C3S	Единицы
в CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	в
в ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	в
Я C	Ток коллектора @ т C =25 ℃ @ T C =80 ℃	2600 1600	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 MS	3200	A
Я F	Диод непрерывно передний арендная плата @ T C =80 ℃	1600	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	3200	A
Р Д	Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃	8.43	КВт
т jmax	Максимальная температура стыка	175	℃
т СТГ	температура хранения Запас хода	-40 до +125	℃
в ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	4000	в
Монтаж Крутящий момент	Свинцовый конец сигнального устройства:M4	1.8 до 2.1
	Свинцовый конец питания:M8	8,0 до 10	Н.М
	Монографный винт:M6	4,25 - 5,75

Электрический Характеристики из IGBT т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Не характеризуется

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в (БР )CES	Сборщик-выпускник Предельное напряжение	т j =25 ℃	1200			в
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃			400	НД

О характеристиках

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =64 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C = 1600A,V GE =15В, т j =25 ℃		1.70	2.15	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C = 1600A,V GE =15В, т j =125 ℃		2.00		в

Смена характеристик

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =1600A, р Гон =1.6Ω, р Гофф =0.2Ω, в GE =±15В,Т j =25 ℃		601		NS
т р	Время нарастания			225		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			830		NS
т F	Время спада			155		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			/		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			/		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C = 1600A, р Гон = 1.6Ω,R Гофф =0.2Ω, в GE =±15В,Т j =125 ℃		665		NS
т р	Время нарастания			225		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			970		NS
т F	Время спада			180		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			326		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			251		mJ
C ies	Входной пропускной способностью	в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В		115		НФ
C - Да.	Выходной объем			6.03		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			5.23		НФ
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В, т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В		6400		A
р Гинт	Внутренний портал сопротивления ance			1.6		Ω
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся			15		nH
р CC+EE	Модуль свинцовый Сопротивление, Терминал на чип			0.10		мОм

Электрический Характеристики из Диод т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний		Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в F	Диод вперед Напряжение	Я F = 1600A	т j =25 ℃		1.65	2.05	в
в F	Диод вперед Напряжение	Я F = 1600A	т j =125 ℃		1.65		в
Q р	Восстановлено заряд	Я F = 1600A, в р =600 В, р g =0.45Ω, в GE = 15 В	т j =25 ℃		160		μC
Q р	Восстановлено заряд		т j =125 ℃		300		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		т j =25 ℃		1100		A
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		т j =125 ℃		1400		A
е rec	Обратное восстановление энергия		т j =25 ℃		72		mJ
е rec	Обратное восстановление энергия		т j =125 ℃		136		mJ

Тепловой характеристик ика

Символ	Параметр	Тип.	Макс.	Единицы
р θ Д.К.	Соединение с делом (на IGB) T)		17.8	К/кВт
р θ Д.К.	Соединение с корпусом (на D) йода)		31.0	К/кВт
р θ КС	Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)	6		К/кВт
Вес	Вес Модуль	1500		g