Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD1200SGL120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток

@ T C =25 ℃

@ T C = 100℃

1900

A

1200

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

2400

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

1200

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

2400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 175℃

8823

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т j

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V, t=10ms, T j =125 ℃

300

кА 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

в

Монтаж

Крутящий момент

Клемма питания: M4

Свинцовый конец питания:M8

1.7 до 2.3

8,0 до 10

Н.М

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

BV CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

800

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =48.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

6.5

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 1200А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.9

в

Я C = 1200А,В GE =15В, т j = 125℃

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

р Гинт

Внутренний затворный резистор

т j =25 ℃

1.2

Ω

Q GE

Сбор за вход

Я C = 1200А,В СЕ =600 В, в GE =- 15…+15В

12.5

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =1200A,

р g =0.82Ω,V GE = ± 15V, т j =25 ℃

790

NS

т р

Время нарастания

170

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1350

NS

т F

Время спада

180

NS

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =1200A,

р g =0.82Ω,V GE = ± 15 В,

т j = 125℃

850

NS

т р

Время нарастания

170

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1500

NS

т F

Время спада

220

NS

е НА

Включить Потери при переключении

155

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

190

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V, f=1MHz,

в GE =0В

92.0

НФ

C - Да.

Выходной объем

8.40

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

6.10

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j =125 ℃ ,

в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В

7000

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

р CC + EE ’

Противодействие свинца модуля e, Терминал на чип

т C =25 ℃ ,на переключатель

0.10

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 1200A

т j =25 ℃

1.9

в

т j = 125℃

2.1

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F = 1200А,

в р =600 В,

di/dt=-6800A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

110

μC

т j = 125℃

220

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

760

A

т j = 125℃

990

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

47

mJ

т j = 125℃

82

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, pe r Модуль)

0.017

K/W

р θ Д.К.

Junction-to-Case (часть диода, на модуль (с)

0.025

K/W

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласно Модуль)

0.006

K/W

Вес

Вес из Модуль

1500

g