IGBT Дискретный

Символ

Описание

Ценности

единица

вCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

вГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

ЯC

Коллекторный ток @ TC=25ОC @ TC=100ОC

150

75

A

ЯCM

Импульсный Коллектор ток  тР  ограниченный От тvjmax

225

A

РД

Максимальное рассеивание мощности @ Tvj=175ОC

852

В

Символ

Описание

Ценности

единица

вRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениеВозраст

1200

в

ЯF

Диод Непрерывный прямой токренты

75

A

ЯЧМ

Импульсный Коллектор ток  тР  ограниченный От тvjmax

225

A

Символ

Описание

Ценности

единица

тvjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

ОC

тСТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

ОC

тs

Температура пайки,1.6mm from case for 10с

260

ОC

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

вCE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

ЯC=75A,VGE=15В, тvj=25ОC

1.75

2.20

в

ЯC=75A,VGE=15В, тvj=150ОC

2.10

ЯC=75A,VGE=15В, тvj=175ОC

2.20

вGE(т)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

ЯC=3.00mA,вСЕ=вGE, тvj=25ОC

5.0

5.8

6.5

в

ЯCES

Коллектор Отсечение-ВЫКЛЮЧЕННЫЙток

вСЕ=вCES,вGE=0V, тvj=25ОC

250

μA

ЯГЭС

Утечка излучателя ток

вGE=вГЭС,вСЕ=0V,тvj=25ОC

100

НД

рГинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.0

Ω

Cies

Входной пропускной способностью

вСЕ=25V,f=100kHz, вGE=0В

6.58

НФ

C- Да.

Выходной объем

0.40

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.19

НФ

Qg

Сбор за вход

вGE=-15…+15V

0.49

μC

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC=75A,    рg= 4,7Ω,

вGE=±15В, Ls=40nH,

тvj=25ОC

41

NS

тр

Время нарастания

135

NS

тd(off)

Выключение Время задержки

87

NS

тF

Время спада

255

NS

еНА

Включить Переключение Потеря

12.5

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

3.6

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC=75A,    рg= 4,7Ω,

вGE=±15В, Ls=40nH,

тvj=150ОC

46

NS

тр

Время нарастания

140

NS

тd(off)

Выключение Время задержки

164

NS

тF

Время спада

354

NS

еНА

Включить Переключение Потеря

17.6

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.3

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

вCC= 600 В,IC=75A,    рg= 4,7Ω,

вGE=±15В, Ls=40nH,

тvj=175ОC

46

NS

тр

Время нарастания

140

NS

тd(off)

Выключение Время задержки

167

NS

тF

Время спада

372

NS

еНА

Включить Переключение Потеря

18.7

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.7

mJ

ЯSC

Данные SC

тР≤10μs,вGE=15В,

тvj=175ОC,VCC=800V, вСМК≤ 1200 В

300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

вF

Диод вперед Напряжение

ЯF=75A,VGE=0V,Tvj=25ОC

1.75

2.20

в

ЯF=75A,VGE=0V,Tvj=150ОC

1.75

ЯF=75A,VGE=0V,Tvj=175ОC

1.75

trr

Обратный диод  Время восстановления

вр= 600 В,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15В, Ls=40nH,

тvj=25ОC

267

NS

Qр

Восстановленная зарядка

4.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

22

A

еrec

Обратное восстановление энергия

1.1

mJ

trr

Обратный диод  Время восстановления

вр= 600 В,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15В, Ls=40nH,

тvj=150ОC

432

NS

Qр

Восстановленная зарядка

9.80

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

33

A

еrec

Обратное восстановление энергия

2.7

mJ

trr

Обратный диод  Время восстановления

вр= 600 В,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15В, Ls=40nH,

тvj=175ОC

466

NS

Qр

Восстановленная зарядка

11.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

35

A

еrec

Обратное восстановление энергия

3.1

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

рthJC

Соединение с делом (на IGB)T)Соединение с корпусом (на D)йода)

0.176 0.371

K/W

рТГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W