Все категории

IGBT Дискретный

IGBT Дискретный

главная страница / Продукты / IGBT Дискретный

IGBT дискретный,DG25X12T2,1200V,25A,STARPOWER

1200В, 25А

Brand:
STARPOWER
  • Введение
Введение

Доброе напоминание.:Fили большеIGBT Дискретный, пожалуйста, отправьте электронное письмо.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая)ОпорыIGBTТехнология
  • Возможность короткого замыкания 10 мкм
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • VCE(sat)СположительныйТемпературакоэффициент
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Оловобезопасный пакет

 

Типовой Применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

 

Абсолютное Максимальное Рейтинги тC=25ОC если только иначе отмечено

 

IGBT

 

Символ

Описание

значение

единица

вCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

вГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

ЯC

Коллекторный ток @ TC=25ОC

@ TC= 110ОC

50

25

A

ЯCM

Импульсный ток коллектора tРограниченный Tjmax

100

A

РД

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175ОC

573

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

вRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

ЯF

Диод Непрерывный Прямой Ток @ TC= 110ОC

25

A

ЯЧМ

Диод Максимальное Прямой ток  тР ограниченный От тjmax

100

A

 

Дискретно

 

Символ

Описание

Ценности

единица

т- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

ОC

тСТГ

температура храненияЗапас хода

-55 до +150

ОC

тs

Температура сварки: 1,6 мм отm случай для 10с

260

ОC

м

Крутящий момент установки, Винт M3

0.6

Н.М

IGBT Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

 

 

вCE (США)

 

 

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

ЯC=25А,вGE=15В,

тj=25ОC

 

1.70

2.15

 

 

в

ЯC=25А,вGE=15В,

тj=125ОC

 

1.95

 

ЯC=25А,вGE=15В,

тj=150ОC

 

2.00

 

вGE(т)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

ЯC= 0,63mA,вСЕ=вGE, тj=25ОC

5.2

6.0

6.8

в

ЯCES

Коллектор Отсечение-ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

вСЕ=вCES,вGE=0V,

тj=25ОC

 

 

1.0

mA

ЯГЭС

Утечка излучателя ток

вGE=вГЭС,вСЕ=0V,тj=25ОC

 

 

400

НД

рГинт

Внутренний портал сопротивленияance

 

 

0

 

Ω

Cies

Входной пропускной способностью

вСЕ=25В, f=1МГц,

вGE=0В

 

2.59

 

НФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

 

0.07

 

НФ

Qg

Сбор за вход

вGE=-15…+15V

 

0.19

 

μC

тД(НА)

Время задержки включения

 

 

вCC= 600 В,IC=25А,   рg=20Ω,VGE=±15В, тj=25ОC

 

28

 

NS

тр

Время нарастания

 

17

 

NS

тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ)

Выключение Время задержки

 

196

 

NS

тF

Время спада

 

185

 

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

 

1.71

 

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

 

1.49

 

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

 

 

вCC= 600 В,IC=25А,   рg=20Ω,VGE=±15В, тj=125ОC

 

28

 

NS

тр

Время нарастания

 

21

 

NS

тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ)

Выключение Время задержки

 

288

 

NS

тF

Время спада

 

216

 

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

 

2.57

 

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

 

2.21

 

mJ

тД(НА)

Время задержки включения

 

 

вCC= 600 В,IC=25А,   рg=20Ω,VGE=±15В, тj=150ОC

 

28

 

NS

тр

Время нарастания

 

22

 

NS

тД(ВЫКЛЮЧЕННЫЙ)

Выключение Время задержки

 

309

 

NS

тF

Время спада

 

227

 

NS

еНА

Включить Переключение

Потеря

 

2.78

 

mJ

еВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

 

2.42

 

mJ

 

ЯSC

 

Данные SC

тР≤ 10 мкс,ВGE=15В,

тj=150ОC,VCC= 900 В, вСМК≤ 1200 В

 

 

100

 

 

A

Диод Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено

 

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

 

вF

Диод вперед

Напряжение

ЯF= 25A,VGE=0V,Tj=25ОC

 

2.20

2.65

 

в

ЯF= 25A,VGE=0V,Tj= 125ОC

 

2.30

 

ЯF= 25A,VGE=0V,Tj= 150ОC

 

2.25

 

Qр

Восстановленная зарядка

вр= 600 В,IF=25А,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15 В тj=25ОC

 

1.43

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

34

 

A

еrec

Обратное восстановлениеэнергия

 

0.75

 

mJ

Qр

Восстановленная зарядка

вр= 600 В,IF=25А,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15 В тj= 125ОC

 

2.4

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

42

 

A

еrec

Обратное восстановлениеэнергия

 

1.61

 

mJ

Qр

Восстановленная зарядка

вр= 600 В,IF=25А,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15 В тj= 150ОC

 

2.6

 

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

 

44

 

A

еrec

Обратное восстановлениеэнергия

 

2.10

 

mJ

 

 

 

Дискретно Характеристики тC=25ОC если только иначе отмечено

 

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

рthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

 

 

0.262

0.495

K/W

рТГА

Соединение с окружающей средой

 

40

 

K/W

 

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить报价

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000