Все категории

IGBT Дискретный

IGBT Дискретный

Домашняя страница /  Продукты /  IGBT Дискретный

DG120X07T2, IGBT дискретный, STARPOWER

1200В,120А

Brand:
STARPOWER
Spu:
DG120X07T2
  • Введение
Введение

Доброе напоминание. :F или больше IGBT Дискретный , пожалуйста, отправьте электронное письмо.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Оловобезопасный пакет

Типовой Применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =135 О C

240

120

A

Я CM

Импульсный Коллектор ток т Р ограниченный От т jmax

360

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

893

В

Диод

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

650

в

Я F

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C =25 О C @ T C =80 О C

177

120

A

Я ЧМ

Диод Максимальное Прямой ток т Р ограниченный От т jmax

360

A

Дискретно

Символ

Описание

Ценности

единица

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

О C

т s

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

О C

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =120A,V GE =15В, т j =25 О C

1.40

1.85

в

Я C =120A,V GE =15В, т j =150 О C

1.70

Я C =120A,V GE =15В, т j =175 О C

1.75

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =1.92 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.1

5.8

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C

250

uA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

200

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

/

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В

14.1

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.42

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15 ...+15В

0.86

uC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =120A, р g =7.5Ω,

в GE =±15В, Л s =40 nH ,т j =25 О C

68

NS

т р

Время нарастания

201

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

166

NS

т F

Время спада

54

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

7.19

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.56

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =120A, р g =7.5Ω,

в GE =±15В, Л s =40 nH ,т j =150 О C

70

NS

т р

Время нарастания

207

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

186

NS

т F

Время спада

106

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

7.70

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.89

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =120A, р g =7.5Ω,

в GE =±15В, Л s =40 nH ,т j =175 О C

71

NS

т р

Время нарастания

211

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

195

NS

т F

Время спада

139

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

7.80

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.98

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 300 В, в СМК ≤650V

600

A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед Напряжение

Я F =120A,V GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F =120A,V GE =0V,T j =1 50О C

1.60

Я F =120A,V GE =0V,T j =1 75О C

1.60

т РР

Обратный диод Время восстановления

в р =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л s =40 nH ,т j =25 О C

184

NS

Q р

Восстановленная зарядка

1.65

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

17.2

A

е rec

Обратное восстановление энергия

0.23

mJ

т РР

Обратный диод Время восстановления

в р =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л s =40 nH ,т j =150 О C

221

NS

Q р

Восстановленная зарядка

3.24

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

23.1

A

е rec

Обратное восстановление энергия

0.53

mJ

т РР

Обратный диод Время восстановления

в р =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л s =40 nH ,т j =175 О C

246

NS

Q р

Восстановленная зарядка

3.98

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

26.8

A

е rec

Обратное восстановление энергия

0.64

mJ

Дискретно Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.168 0.369

K/W

р ТГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную报价

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000