1200В,120А
Доброе напоминание. :F или больше IGBT Дискретный , пожалуйста, отправьте электронное письмо.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено
IGBT
Символ | Описание | значение | единица |
в CES | Напряжение коллектор-эмиттер | 650 | в |
в ГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Я C | Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =135 О C | 240 120 | A |
Я CM | Импульсный Коллектор ток т Р ограниченный От т jmax | 360 | A |
Р Д | Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C | 893 | В |
Диод
Символ | Описание | значение | единица |
в RRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст | 650 | в |
Я F | Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C =25 О C @ T C =80 О C | 177 120 | A |
Я ЧМ | Диод Максимальное Прямой ток т Р ограниченный От т jmax | 360 | A |
Дискретно
Символ | Описание | Ценности | единица |
т - Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +175 | О C |
т СТГ | Диапазон температур хранения | -55 до +150 | О C |
т s | Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с | 260 | О C |
IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Я C =120A,V GE =15В, т j =25 О C |
| 1.40 | 1.85 |
в |
Я C =120A,V GE =15В, т j =150 О C |
| 1.70 |
| |||
Я C =120A,V GE =15В, т j =175 О C |
| 1.75 |
| |||
в GE (т ) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | Я C =1.92 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C | 5.1 | 5.8 | 6.5 | в |
Я CES | Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток | в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C |
|
| 250 | uA |
Я ГЭС | Утечка излучателя ток | в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C |
|
| 200 | НД |
р Гинт | Внутренний портал сопротивления ance |
|
| / |
| Ω |
C ies | Входной пропускной способностью | в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В |
| 14.1 |
| НФ |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 0.42 |
| НФ | |
Q g | Сбор за вход | в GE =-15 ...+15В |
| 0.86 |
| uC |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC =300V,I C =120A, р g =7.5Ω, в GE =±15В, Л s =40 nH ,т j =25 О C |
| 68 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 201 |
| NS | |
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 166 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 54 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 7.19 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 2.56 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC =300V,I C =120A, р g =7.5Ω, в GE =±15В, Л s =40 nH ,т j =150 О C |
| 70 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 207 |
| NS | |
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 186 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 106 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 7.70 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 2.89 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC =300V,I C =120A, р g =7.5Ω, в GE =±15В, Л s =40 nH ,т j =175 О C |
| 71 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 211 |
| NS | |
т d(off) | Выключение Время задержки |
| 195 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 139 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 7.80 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 2.98 |
| mJ | |
Я SC |
Данные SC | т Р ≤6μs, в GE =15В, т j =150 О C,V CC = 300 В, в СМК ≤650V |
|
600 |
|
A |
Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
в F | Диод вперед Напряжение | Я F =120A,V GE =0V,T j =25 О C |
| 1.65 | 2.10 |
в |
Я F =120A,V GE =0V,T j =1 50О C |
| 1.60 |
| |||
Я F =120A,V GE =0V,T j =1 75О C |
| 1.60 |
| |||
т РР | Обратный диод Время восстановления |
в р =300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л s =40 nH ,т j =25 О C |
| 184 |
| NS |
Q р | Восстановленная зарядка |
| 1.65 |
| μC | |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 17.2 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 0.23 |
| mJ | |
т РР | Обратный диод Время восстановления |
в р =300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л s =40 nH ,т j =150 О C |
| 221 |
| NS |
Q р | Восстановленная зарядка |
| 3.24 |
| μC | |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 23.1 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 0.53 |
| mJ | |
т РР | Обратный диод Время восстановления |
в р =300V,I F =120A, -di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л s =40 nH ,т j =175 О C |
| 246 |
| NS |
Q р | Восстановленная зарядка |
| 3.98 |
| μC | |
Я RM | Пик обратный Ток восстановления |
| 26.8 |
| A | |
е rec | Обратное восстановление энергия |
| 0.64 |
| mJ |
Дискретно Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | единица |
р thJC | Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
| 0.168 0.369 | K/W |
р ТГА | Соединение с окружающей средой |
| 40 |
| K/W |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.