Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

1522

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

5.24

КВт

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =900A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =900A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =22.5 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.2

6.0

6.8

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.63

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

93.2

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.61

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15 ﹍+15В

6.99

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =900A, р g =1.6Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

214

NS

т р

Время нарастания

150

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

721

NS

т F

Время спада

206

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

76

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

128

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =900A, р g =1.6Ω,

в GE =±15В, т j =125 О C

235

NS

т р

Время нарастания

161

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

824

NS

т F

Время спада

412

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

107

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

165

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =900A, р g =1.6Ω,

в GE =±15В, т j =150 О C

235

NS

т р

Время нарастания

161

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

876

NS

т F

Время спада

464

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

112

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

180

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

3600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T j =25 О C

1.90

2.25

в

Я F =900A,V GE =0V,T j = 125О C

1.85

Я F =900A,V GE =0V,T j = 150О C

1.80

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C

86

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

475

A

е rec

Обратное восстановление энергия

36.1

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В т j = 125О C

143

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

618

A

е rec

Обратное восстановление энергия

71.3

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В т j = 150О C

185

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

665

A

е rec

Обратное восстановление энергия

75.1

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из р 100

т C = 100 О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.30

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

28.6

51.9

К/кВт

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

14.0

25.3

4.5

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

825

g