Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

1250

800

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

1600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

4166

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

800

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1600

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE = 15V, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C = 800 А,В GE = 15V, т j =125 О C

1.95

Я C = 800 А,В GE = 15V, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 32,0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.0

5.7

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.13

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

79.2

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.40

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE = 15В

4.80

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A, р g = 1.0Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

408

NS

т р

Время нарастания

119

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

573

NS

т F

Время спада

135

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

21.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

72.4

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A, р g = 1.0Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

409

NS

т р

Время нарастания

120

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

632

NS

т F

Время спада

188

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

26.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

107

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A, р g = 1.0Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

410

NS

т р

Время нарастания

123

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

638

NS

т F

Время спада

198

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

28.8

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

112

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE = 15V,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

3200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 800 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F = 800 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.85

Я F = 800 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =800A,

- di/dt=6700A/μs,

в GE =- 15В т j =25 О C

81.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

518

A

е rec

Обратное восстановление энергия

39.4

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =800A,

- di/dt=6700A/μs,

в GE =- 15В т j = 125О C

136

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

646

A

е rec

Обратное восстановление энергия

65.2

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

155

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

684

A

е rec

Обратное восстановление энергия

76.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.036

0.048

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.123

0.163

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g