Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD800HFT120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1400

800

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

1600

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

@ T C =80 ℃

800

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

4.2

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 32,0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.70

2.15

в

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A, р Гон =3,3Ω,

р Гофф = 0,39Ω,

в GE =±15В,Т j =25 ℃

605

NS

т р

Время нарастания

225

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

830

NS

т F

Время спада

155

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

/

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

/

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A, р Гон =3,3Ω,

р Гофф = 0,39Ω,

в GE =±15В,Т j =125 ℃

670

NS

т р

Время нарастания

220

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

960

NS

т F

Время спада

175

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

161

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

124

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

57.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

3.02

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.62

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

3200

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.25

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =800A

т j =25 ℃

1.65

2.10

в

т j =125 ℃

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =800A,

в р =600 В,

р Гон =0.9Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

86

μC

т j =125 ℃

160

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

560

A

т j =125 ℃

720

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

38.0

mJ

т j =125 ℃

70.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

35.6

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

62.0

К/кВт

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

6

К/кВт

Вес

Вес Модуль

1500

g