Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =80 О C

1050

800

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

4.85

КВт

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

800

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

1600

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =25 О C

2.50

2.95

в

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =125 О C

3.00

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =150 О C

3.10

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 32,0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.4

7.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

54.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.84

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

6.2

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =800A, р g = 1,5Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

235

NS

т р

Время нарастания

110

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

390

NS

т F

Время спада

145

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

216

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

152

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =800A, р g = 1,5Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

250

NS

т р

Время нарастания

120

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

475

NS

т F

Время спада

155

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

280

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

232

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =800A,

р g = 1,5Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

254

NS

т р

Время нарастания

125

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

500

NS

т F

Время спада

160

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

312

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

256

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 1000V, в СМК ≤1700V

2480

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 800 А,В GE =0V, T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F = 800 А,В GE =0V, T j = 125О C

1.95

Я F = 800 А,В GE =0V, T j = 150О C

1.90

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15В, т j =25 О C

232

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

720

A

е rec

Обратное восстановление энергия

134

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15В, т j = 125О C

360

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

840

A

е rec

Обратное восстановление энергия

222

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC =900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V GE =±15В, т j = 150О C

424

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

880

A

е rec

Обратное восстановление энергия

259

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.37

мОм

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

30.9

49.0

К/кВт

р θ КС

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

19.6

31.0

К/кВт

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

6.0

К/кВт

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

g

Вес из Модуль

1500

g