Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD800HFL120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1250

A

800

Я CM(1)

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

1600

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

800

A

Я ЧМ

Максимальный проходный ток диоды

1600

A

Р Д

Максимальная мощность Рассеяние @ т j =150 ℃

4310

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т j

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V, t=10ms, T j =125 ℃

140

кА 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Монтаж

Крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.7 до 2.3

8,0 до 10

Н.М

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

BV CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =32mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.8

в

Я C = 800 А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Q GE

Сбор за вход

Я C = 800 А,В СЕ =600 В,

в GE =-15…+15V

11.5

μC

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A,

р Гон =3,3Ω,

р Гофф = 0,39Ω,

в GE =± 15V,T j =25 ℃

600

NS

т р

Время нарастания

230

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

820

NS

т F

Время спада

150

NS

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =800A,

р Гон =3,3Ω,

р Гофф = 0,39Ω,

в GE =± 15V,T j =125 ℃

660

NS

т р

Время нарастания

220

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

960

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Потери при переключении

160

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

125

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

61.8

НФ

C - Да.

Выходной объем

4.2

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.7

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j =125 ℃ ,

в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В

3760

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления c Терминал на чип

т C =25 ℃

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =800A

т j =25 ℃

2.4

в

т j =125 ℃

2.2

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F =800A,

в р =600 В,

di/dt=-3600A/μs, в GE = 15 В

т j =25 ℃

37

μC

т j =125 ℃

90

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

260

A

т j =125 ℃

400

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

9

mJ

т j =125 ℃

24

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θJC

Соединение с корпусом (часть IGBT, на 1/2 модуль)

0.029

K/W

р θJC

Соединение с корпусом (часть диода, на 1/2 модуль)

0.052

K/W

р θCS

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласно Модуль)

0.006

K/W

Вес

Вес Модуль

1500

g