Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD630HFL120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

945

A

630

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

1260

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

@ T C =80 ℃

630

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

1260

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 150℃

4167

В

т jmax

Максимальная температура стыка

150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Терминал питания Винт: M6

Монтаж Винт: M6

2,5 до 5.0

3,0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 630A,V GE =15В, т j =25 ℃

2.35

2.80

в

Я C = 630A,V GE =15В, т j = 125℃

2.73

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =630A, р g = 2,5Ω,V GE = ± 15V, т j =25 ℃

210

NS

т р

Время нарастания

102

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

600

NS

т F

Время спада

80

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

75.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

37.8

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =630A, р g = 2,5Ω,V GE = ± 15V, т j = 125℃

230

NS

т р

Время нарастания

103

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

705

NS

т F

Время спада

103

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

102.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

63.0

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

29.7

НФ

C - Да.

Выходной объем

2.08

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.36

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j = 125℃ V CC =600 В,

в СМК ≤ 1200В

1800

A

р Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

0.5

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления c Терминал на чип

т C =25 ℃

0.32

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =630A

т j =25 ℃

2.00

2.40

в

т j = 125℃

2.20

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =630A,

в р =600 В,

р g = 2,5Ω,

в GE =- 15В

т j =25 ℃

80

μC

т j = 125℃

130

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

336

A

т j = 125℃

433

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

24.4

mJ

т j = 125℃

49.6

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IG) БТ)

0.030

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.048

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

Вес

Вес из Модуль

340

g