Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

GD600HFT170C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

950

A

600

Я CM(1)

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

1200

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток нт

600

A

Я ЧМ

Диод Максимальный прямой ток нт

1200

A

Р Д

Максимальная мощность Рассеяние @ т j =175 ℃

3571

В

т j

Максимальная температура стыка

150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

3400

в

Монтаж

Крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

Н.М

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (BR) CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1700

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =24mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, т j =25 ℃

2.00

2.45

в

Я C =600А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

7.0

μC

т d(on)

Время задержки включения

в CC =900V,I C =600А, р Гон = 2,4Ω,

р Гофф =3.0Ω,

в GE = ± 15V,T j =25 ℃

650

NS

т р

Время нарастания

155

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1300

NS

т F

Время спада

180

NS

е НА

Включить Потери при переключении

125

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

186

mJ

т d(on)

Время задержки включения

в CC =900V,I C =600А, р Гон = 2,4Ω,

р Гофф =3.0Ω,

в GE = ± 15V,T j =125 ℃

701

NS

т р

Время нарастания

198

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1590

NS

т F

Время спада

302

NS

е НА

Включить Потери при переключении

186

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

219

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

52.8

НФ

C - Да.

Выходной объем

2.20

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В,

т j =125 ℃ V CC =1000V, в СМК ≤ 1700В

2400

A

р Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.3

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600A

т j =25 ℃

1.80

2.20

в

т j =125 ℃

1.90

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =600А,

в р = 900 В,

di/dt=-3800A/μs, в GE = 15 В

т j =25 ℃

580

μC

т j =125 ℃

640

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

160

A

т j =125 ℃

258

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

96

mJ

т j =125 ℃

171

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θJC

Соединение с корпусом (на IGBT)

42

К/кВт

р θJC

Соединение с корпусом (на D) йода)

94

К/кВт

р θCS

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласно Модуль)

6

К/кВт

Вес

Вес Модуль

1500

g