Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD450HFT120C6S_G8

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 ℃

@ T C =100 ℃

660

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

900

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

900

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =17 5℃

2083

В

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

в

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3,0 до 6.0

3,0 до 6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

910

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.5Ω,

в GE =±15В, т j =25 ℃

360

NS

т р

Время нарастания

140

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

550

NS

т F

Время спада

146

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

11.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

48.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =450A, р g =1.5Ω,

в GE =±15В, т j =125 ℃

374

NS

т р

Время нарастания

147

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

623

NS

т F

Время спада

178

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

17.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

64.5

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

39.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.26

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, в GE =15В,

т j =125 ℃ V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1800

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.67

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

1.10

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =450А

т j =25 ℃

1.65

2.25

в

т j =125 ℃

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =450A,

в р =600 В,

р g =1.5Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

41.6

μC

т j =125 ℃

77.5

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

241

A

т j =125 ℃

325

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

23.2

mJ

т j =125 ℃

43.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

р 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

0.072

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.110

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь) (включая)

0.005

K/W