GD450HFL170C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT 1700В

GD450HFL170C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

1700В 450А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD450HFL170C2S

Введение
Основные положения

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1700В 450А.

Особенности

Низкий VCE (спутниковая) SPT+ IGBT Технология
Возможность короткого замыкания 10 мкм
VCE(sat) С положительный Температура коэффициент
Максимальная температура соединения 175oC
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовой Применения

Инвертор для привода мотора
Ветроэлектрическая установка
Высоковольтный преобразователь

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	значение	единица
VCES	Напряжение коллектор-эмиттер	1700	в
VGES	Напряжение затвор-эмиттер	±20	в
Ic	Коллекторный ток @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	A
МКК	Импульсный ток коллектора tp=1ms	900	A
ПД	Максимальная мощность рассеяния T =175oC	2678	В

Диод

Символ	Описание	значение	единица
в RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1700	в
Я F	Диод непрерывно передний арендная плата	450	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	900	A

Модуль

Символ	Описание	значение	единица
т jmax	Максимальная температура стыка	175	О C
т - Я не знаю.	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +150	О C
т СТГ	температура хранения Запас хода	-40 до +125	О C
в ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	4000	в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
VCE(sat)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	в
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
VGE (th)	Пороговое напряжение выпускателя	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	в
ICES	Ток коллектора отключения ток	VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC			5.0	mA
IGES	Ток утечки излучателя врат	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	НД
RGint	Сопротивление внутреннего воротника			0.3		Ω
- Да, конечно.	Входной пропускной способностью	VCE=25V, f=1Mhz, ВГЭ=0В		30.0		НФ
Крес	Обратная передача Пропускная способность	VCE=25V, f=1Mhz, ВГЭ=0В		1.08		НФ
Главный офис	Сбор за вход	VGE=-15…+15V		2.70		μC
td(on)	Время задержки включения	ВВС=900В, IC=450А, RG=3,3Ω, VGE=±15В, Tj=25oC		504		NS
tr	Время нарастания			183		NS
td(off)	Время задержки выключения			616		NS
TF	Время спада			188		NS
EON	Включение переключения Потеря			126		mJ
EOFF	Выключатель Потеря			89		mJ
td(on)	Время задержки включения	ВВС=900В, IC=450А, RG=3,3Ω, VGE=±15В, Tj=125oC		506		NS
tr	Время нарастания			194		NS
td(off)	Время задержки выключения			704		NS
TF	Время спада			352		NS
EON	Включение переключения Потеря			162		mJ
EOFF	Выключатель Потеря			124		mJ
td(on)	Время задержки включения	ВВС=900В, IC=450А, RG=3,3Ω, VGE=±15В, Tj=150oC		510		NS
tr	Время нарастания			198		NS
td(off)	Время задержки выключения			727		NS
TF	Время спада			429		NS
EON	Включение переключения Потеря			174		mJ
EOFF	Выключатель Потеря			132		mJ
Isc	Данные SC	tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
в F	Диод вперед Напряжение	Я F =450A,V GE =0V,T j =25 О C		1.87	2.32	в
		Я F =450A,V GE =0V,T j = 125О C		2.00
		Я F =450A,V GE =0V,T j = 150О C		2.05
Q р	Восстановленная зарядка	в р =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C		107		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			519		A
е rec	Обратное восстановление энергия			75		mJ
Q р	Восстановленная зарядка	в р =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE = 15 В т j = 125О C		159		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			597		A
е rec	Обратное восстановление энергия			113		mJ
Q р	Восстановленная зарядка	в р =900V,I F =450A, -di/dt=3000A/μs,V GE = 15 В т j = 150О C		170		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			611		A
е rec	Обратное восстановление энергия			119		mJ

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся			20	nH
р CC+EE	Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу		0.35		мОм
р thJC	Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)			0.056 0.112	K/W
р thCH	Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)		0.105 0.210 0.035		K/W
м	Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Вес из Модуль		300		g