Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

655

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

2205

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =70 О C

515

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1304

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

650

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

800

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =400A,V GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

5.7

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.6

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

40.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.14

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =15В

2.22

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

408

NS

т р

Время нарастания

119

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

573

NS

т F

Время спада

135

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

10.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

36.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

409

NS

т р

Время нарастания

120

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

632

NS

т F

Время спада

188

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

13.2

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

53.6

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =400A, р g =2,0Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

410

NS

т р

Время нарастания

123

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

638

NS

т F

Время спада

198

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

14.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

56.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.65

2.10

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

34.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

е rec

Обратное восстановление энергия

19.5

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

55.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

350

A

е rec

Обратное восстановление энергия

29.8

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

63.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

368

A

е rec

Обратное восстановление энергия

34.0

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 О C

1.45

1.90

в

Я C =400A,V GE =15В, т j =125 О C

1.60

Я C =400A,V GE =15В, т j =150 О C

1.70

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 6,4 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.1

5.8

6.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

12.7

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.73

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

4.30

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

102

NS

т р

Время нарастания

79

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

458

NS

т F

Время спада

49

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.88

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

12.9

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

111

NS

т р

Время нарастания

80

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

505

NS

т F

Время спада

70

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

4.20

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

16.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =400A, р g = 1.8Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

120

NS

т р

Время нарастания

80

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

510

NS

т F

Время спада

80

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

4.50

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.0

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤6μs, в GE =15В,

т j =150 О C,V CC =360V, в СМК ≤ 600 В

2000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A,V GE =0V,T j =25 О C

1.55

2.00

в

Я F =400A,V GE =0V,T j = 125О C

1.50

Я F =400A,V GE =0V,T j = 150О C

1.45

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F =400A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

18.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

215

A

е rec

Обратное восстановление энергия

3.58

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F =400A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

29.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

е rec

Обратное восстановление энергия

7.26

mJ

Q р

Восстановлено

заряд

в р =300V,I F =400A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

34.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

300

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.30

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р thJC

Соединение с корпусом (для T1, T2 IGBT)

Соединение с корпусом (для D1,D2 Диод de)

Соединение с корпусом (для T3, T4 IGBT)

Соединение с корпусом (для D3,D4 Диод de)

0.068

0.138

0.115

0.195

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на T1,T2 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D1,D2 Диод)

Корпус к радиатору (на T3,T4 IGBT)

Корпус-к радиатору (для D3,D4 Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.136

0.276

0.230

0.391

0.028

K/W

м

Крутящий момент установки, Шуруп M6

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5

3.0

2.5

6.0

5.0

Н.М