Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

GD400SGT170C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

700

A

400

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

800

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

400

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 175℃

3000

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение,Диод

в р =0V,t=10ms,T j =125 ℃

25500

A 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

в

Крутящий момент крепления

Клемма питания: M4

Крепежный винт силового терминала:M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

в GE =0V, Я C = 14mA, т j =25 ℃

1700

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

3.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C = 16mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, т j =25 ℃

2.00

2.45

в

Я C =400A,V GE =15В, т j = 125℃

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A,

278

NS

т р

Время нарастания

р g =3.6Ω,V GE = ± 15 В,

81

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

т j =25 ℃

802

NS

т F

Время спада

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE = ± 15 В, т j =25 ℃

119

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

104

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

86

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C =400A, р g =3.6Ω,V GE = ± 15 В, т j = 125℃

302

NS

т р

Время нарастания

99

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

1002

NS

т F

Время спада

198

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

136

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

124

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

36

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.5

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.2

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10μs, в GE =15В,

т j =125 ℃ V CC = 1000V, в СМК ≤ 1700В

1600

A

р Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

1.9

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления c Терминал на чип

т C =25 ℃

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

т j =25 ℃

1.80

2.20

в

т j = 125℃

1.90

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F =400A,

в р =900 В,

di/dt=-4250A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

99

μC

т j = 125℃

172

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

441

A

т j = 125℃

478

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

53

mJ

т j = 125℃

97

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, pe r Модуль)

0.05

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть ДИОД, на модуль e)

0.09

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

Вес

Вес из Модуль

300

g