3600В 1700А
Краткое введение
Модуль IGBT ,Высокое напряжение, Произведенный STARPOWER . 1700V 3600А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Описание | GD3600SGT170C4S | Единицы |
VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1700 | в |
VGES | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Ic | Коллекторный ток@ TC=25℃ Коллекторный ток@ TC=80℃ | 5200 | A |
3600 | |||
ICM(1) | Импульсный коллекторный ток tp= 1мс | 7200 | A |
IF | Диод непрерывного прямого тока | 3600 | A |
ИФМ | Максимальный проходный ток диоды | 7200 | A |
ПД | Максимальная мощность Рассеяние при Tj= 175℃ | 19.7 | КВт |
Tj | Максимальная температура стыка | 175 | ℃ |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | -40 до +125 | ℃ |
Визо | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | в |
Монтаж | Свинцовый конец сигнального устройства:M4 Свинцовый конец питания:M8 | 1.8 до 2.1 8.0 до 10 |
Н.М |
Крутящий момент | Монографный винт:M6 | 4,25 - 5,75 |
|
Электрический Характеристики из IGBT т C =25 ℃ если только иначе Заметка
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
V ((BR) CES | Сборщик-выпускник Предельное напряжение | Tj=25°C | 1700 |
|
| в |
ICES | Ток отсечения коллектора | ВЭС=ВКЭС,ВГЭ=0В,Тж=25°С |
|
| 5.0 | mA |
IGES | Утечка излучателя ток | ВЭГ=ВГЭС,ВЭС=0В,Тж=25°С |
|
| 400 | НД |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
VGE (th) | Предельный уровень выпускателя Напряжение | IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | в |
VCE(sat) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃ |
| 2.00 | 2.45 |
в |
IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃ |
| 2.40 | 2.85 |
Смена характеристик
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
Главный офис | Сбор за вход | ВГЭ=- 15...+15В |
| 42.0 |
| μC |
RGint | Внутренний затворный резистор | Tj=25°C |
| 0.5 |
| Ω |
td(on) | Время задержки включения |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, ВЭГ=±15В,Tj=25°С |
| 730 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 205 |
| NS | |
td(off) | Время задержки выключения |
| 1510 |
| NS | |
TF | Время спада |
| 185 |
| NS | |
EON | Потери при включении |
| 498 |
| mJ | |
EOFF | Потеря переключения при выключении |
| 1055 |
| mJ | |
td(on) | Время задержки включения |
VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω, RGoff=0.5Ω, VGE=±15V,Tj= 125℃ |
| 785 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 225 |
| NS | |
td(off) | Время задержки выключения |
| 1800 |
| NS | |
TF | Время спада |
| 325 |
| NS | |
EON | Потери при включении |
| 746 |
| mJ | |
EOFF | Потеря переключения при выключении |
| 1451 |
| mJ | |
- Да, конечно. | Входной пропускной способностью |
VCE=25V, f=1Mhz, ВГЭ=0В |
| 317 |
| НФ |
Коэ | Выходной объем |
| 13.2 |
| НФ | |
Крес | Обратная передача Пропускная способность |
| 10.5 |
| НФ | |
Isc |
Данные SC | tSC≤10μs,VGE=15V, Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
|
14000 |
|
A |
ЛСО | Индуктивность отклоняющейся |
|
| 10 |
| nH |
RCC’+EE ’ | Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
| 0.12 |
| мОм |
Электрические характеристики ДИОДА TC=25℃ если не указано иное
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | |
VF | Диод вперед Напряжение | IF=3600A | Tj=25°C |
| 1.80 | 2.20 | в |
Tj= 125℃ |
| 1.90 | 2.30 | ||||
Qr | Восстановленная зарядка |
IF=3600A, VR=900В, RGon=0.4Ω, VGE=- 15V | Tj=25°C |
| 836 |
| μC |
Tj= 125℃ |
| 1451 |
| ||||
МРТ | Обратный рекуперационный ток | Tj=25°C |
| 2800 |
| A | |
Tj= 125℃ |
| 3300 |
| ||||
Erec | Энергия обратной рекуперации | Tj=25°C |
| 590 |
| mJ | |
Tj= 125℃ |
| 1051 |
| ||||
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
