Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

520

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C

1807

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.0

5.6

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

28.6

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.92

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =15В

1.92

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

331

NS

т р

Время нарастания

105

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

521

NS

т F

Время спада

124

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

6.30

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

27.3

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

327

NS

т р

Время нарастания

110

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

575

NS

т F

Время спада

166

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

10.6

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

34.6

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 300A, р g = 2,2Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

318

NS

т р

Время нарастания

111

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

586

NS

т F

Время спада

185

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

11.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

37.0

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.85

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.85

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, т j =25 О C

29.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

236

A

е rec

Обратное восстановление энергия

14.8

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, т j = 125О C

52.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

302

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.4

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2900A/μs,V GE =- 15V, т j = 150О C

60.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

322

A

е rec

Обратное восстановление энергия

30.4

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.083

0.111

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.061

0.082

0.035

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g