Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

GD300SGL170C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

460

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

600

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

2273

В

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4

1.1 до 2.0

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6

2,5 до 5.0

Н.М

Крутящий момент установки, Шуруп M6

3,0 до 5.0

g

Вес Модуль

300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1700

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.4

6.2

7.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 ℃

2.50

2.95

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 ℃

3.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g =4.7Ω,V GE =±15В, т j =25 ℃

464

NS

т р

Время нарастания

157

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

421

NS

т F

Время спада

290

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

108

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

55.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g =4.7Ω,V GE =±15В, т j = 125℃

483

NS

т р

Время нарастания

161

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

465

NS

т F

Время спада

538

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

128

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

83.7

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

20.4

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.72

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C,V CC = 1300 В, в СМК ≤1700V

960

A

Q g

Сбор за вход

в CC =900V,I C = 300A, в GE =-15 ﹍+15В

2.4

μC

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =300А

т j =25 ℃

1.80

2.25

в

т j =125 ℃

1.95

Q р

Восстановлено

заряд

Я F = 300A,

в р = 900 В,

р g = 4,7Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

70.3

μC

т j =125 ℃

108

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

209

A

т j =125 ℃

238

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

40.7

mJ

т j =125 ℃

65.1

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

0.066

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.105

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

0.035

K/W