Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

GD300HFT170C2S

Единицы

VCES

Сборщик-выпускник Напряжение

1700

в

VGFs

Затвор-эмиттер Напряжение

±20

в

Ic

Коллектор ток @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

Импульсный Коллектор ток tp= 1MS

600

A

Ир

Диод Непрерывный Прямой ток

300

A

ИМ

Диод Максимальное Прямой ток

600

A

ПП

Максимальное Мощность рассеяние @Tj=175℃

2083

В

TSC

Недолго ЦЕПЬ Выдержи. Время @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Максимальное Переходный пункт Температура

175

℃

ТСТГ

Хранение Температура Запас хода

-40 to+125

℃

I²t-значение,Диод

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

Визо

Изоляция Напряжение RMS,f=50Гц,t=1мин

4000

в

Монтаж Крутящий момент

Мощность Терминал Винт :M6

2.5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3.0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Испытание Условия

мин .

тип .

макс .

Единицы

BVcrs

Сборщик-выпускник

пробой Напряжение

VGe=0В,Ic=4.0мА, T=25℃

1700

в

ICES

Коллектор Отключение ток

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C

3.0

mA

IGrs

Затвор-эмиттер утечка ток

VGr=VGes,Vcn=0В, T=25℃

400

НД

Символ

Параметр

Испытание Условия

мин .

Тип.

макс .

Единицы

Vcπ(h)

Затвор-эмиттер Порог Напряжение

Ie=12.0мА,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

в

VCE(sat)

Коллектор до Излучатель насыщение Напряжение

Ic=300A,VGr=15В, T=25℃

2.0

в

Ic = 300A, VGr =15В. T=125℃

2.4

Символ

Параметр

Испытание Условия

мин .

Тип.

макс .

Единицы

taon)

Включить Задержка Время

Vcc=900В,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15В, T=25℃

281

NS

т

Нарастание Время

82

NS

та (о)

Выключение Задержка Время

801

NS

tr

Падение Время

Vcc=900В,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15В

T=25℃

121

NS

EON

Включить Переключение

Потеря

70

mJ

Eofr

Выключение Переключение

Потеря

65

mJ

ta(on)

Включить Задержка Время

Vcc=900В,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15В T=125℃

303

NS

т

Нарастание Время

103

NS

ta(om)

Выключение Задержка Время

1002

NS

tr

Падение Время

203

NS

EON

Включить Переключение

Потеря

105

mJ

EOR

Выключение Переключение

Потеря

94

mJ

- Да, конечно.

Ввод Пропускная способность

VCE=25V, f=1Mhz,

VGr=0В

27.0

НФ

Коэ

Выход Пропускная способность

1.1

НФ

Крес

Обратный Передача

Пропускная способность

0.9

НФ

Isc

SC Данные

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000В

VcrM≤1700В

1200

A

RGint

Внутренний Врата Сопротивление СЕ

2.5

Ω

LCr

Посторонний Индуктивность

20

nH

RcC'+EE'

Модуль Ведущий Сопротивление, Терминал до Чип

TC=25°C

0.35

м2

Символ

Параметр

Испытание Условия

мин .

Тип.

макс .

Единицы

ВР

Диод Прямой

Напряжение

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

в

Ti=125℃

1.9

Q

Диод Обратный

Восстановление заряд

Ir=300A,

VR=900В,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15В

T=25℃

77

μC

Tj=125°C

131

МРТ

Диод Пик

Обратный Восстановление ток

Tj=25°C

351

A

T=125℃

383

Eree

Обратный Восстановление энергия

Tj=25°C

40

mJ

Tj=125°C

72

Символ

Параметр

Тип.

макс .

Единицы

Rac

Переходный пункт -до -Чехол (IGBT Часть , на 1/2 Моду (с)

0.072

K/W

Rac

Переходный пункт -до -Чехол (Диод Часть , Р ер 1/2 Модуль)

0.13

K/W

Roc

Сборка из коробки в раковину (Проводящий смазка применяется)

0.035

K/W

Вес

Вес из Модуль

300

g