Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 100О C

490

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

2027

В

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

2.40

2.85

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

2.80

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.90

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.4

6.2

7.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

20.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.69

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

2.31

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 4,7Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

200

NS

т р

Время нарастания

97

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

410

NS

т F

Время спада

370

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

82.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

60.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 4,7Ω,

в GE =±15В, т j = 125О C

250

NS

т р

Время нарастания

99

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

630

NS

т F

Время спада

580

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

115

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

90.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 4,7Ω,

в GE =±15В, т j = 150О C

260

NS

т р

Время нарастания

105

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

670

NS

т F

Время спада

640

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

125

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

100

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 1000V, в СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125О C

1.95

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150О C

1.90

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

90.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

270

A

е rec

Обратное восстановление энергия

45.0

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15В т j = 125О C

135

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

315

A

е rec

Обратное восстановление энергия

75.5

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15В т j = 150О C

160

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

330

A

е rec

Обратное восстановление энергия

84.0

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

т C = 100О C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Диссипация мощности

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.074

0.121

K/W

р θ КС

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

0.029

0.047

K/W

р θ КС

Сборка из коробки в раковину

0.009

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

g

Вес Модуль

350

g