Модуль IGBT 1700В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C =90 О C

430

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

600

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

1851

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

600

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =25 О C

2.40

2.85

в

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =125 О C

2.80

Я C = 300 А,В GE =15В, т j =150 О C

2.90

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 О C

5.4

6.2

7.4

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.3

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

20.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.72

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =- 15…+15В

1.8

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 4,7Ω,

в GE =±15В, т j =25 О C

464

NS

т р

Время нарастания

157

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

421

NS

т F

Время спада

290

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

108

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

55.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 4,7Ω,

в GE =±15В, т j =125 О C

483

NS

т р

Время нарастания

161

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

465

NS

т F

Время спада

538

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

128

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

83.7

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =900V,I C = 300A, р g = 4,7Ω,

в GE =±15В, т j =150 О C

492

NS

т р

Время нарастания

165

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

483

NS

т F

Время спада

747

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

141

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

92.1

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j = 150О C,V CC = 1000V, в СМК ≤1700V

960

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25 О C

1.80

2.25

в

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =125 О C

1.95

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =150 О C

1.90

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15В т j =25 О C

70

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

209

A

е rec

Обратное восстановление энергия

40.7

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15В т j =125 О C

108

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

238

A

е rec

Обратное восстановление энергия

65.1

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р =900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V GE =- 15В т j =150 О C

123

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

253

A

е rec

Обратное восстановление энергия

71.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

р CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.25

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.081

0.138

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.032

0.054

0.010

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

300

g