Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD2400SGL120C3SN

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

3550

2400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

4800

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

2400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

4800

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

12.8

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Монтаж Крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

Н.М

Монографный винт:M6

4.25 до 5.75

Вес

Вес Модуль

1500

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =96 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.4

7.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 2400A,V GE =15В, т j =25 ℃

1.95

2.40

в

Я C = 2400A,V GE =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 2400A, р Гон = 1.0Ω,

р Гофф =2.3Ω,

в GE =±15В,Т j =25 ℃

188

NS

т р

Время нарастания

131

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1040

NS

т F

Время спада

132

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

272

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

320

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 2400A, р Гон = 1.0Ω,

р Гофф =2.3Ω,

в GE =±15В,Т j =125 ℃

214

NS

т р

Время нарастания

184

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1125

NS

т F

Время спада

138

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

268

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

416

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

TBD

НФ

C - Да.

Выходной объем

TBD

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

TBD

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =150 °C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

9000

A

Q g

Сбор за вход

в CC = 600 В,I C = 2400A, в GE =-15 ﹍+15В

TBD

μC

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.3

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.19

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 2400A

т j =25 ℃

1.80

2.20

в

т j =125 ℃

1.75

Q р

Восстановлено

заряд

Я F = 2400A,

в р =600 В,

р g = 1.6Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

246

μC

т j =125 ℃

435

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

810

A

т j =125 ℃

1160

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

103

mJ

т j =125 ℃

182

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

11.7

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

21.9

К/кВт

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

6

К/кВт