GD225HTT120C7S, Модуль IGBT, 6 в одном корпусе, STARPOWER

1200В 225А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD225HTT120C7S

Краткое введение

Модуль IGBT , произведено STARPOWER. 1200В 225А.

Особенности

Типичные применения

IGBT -Инвертор т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ	Описание	GD225HTT120C7S	Единицы
в CES	Напряжение коллектор-эмиттер @ T j =25 ℃	1200	в
в ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер @ T j =25 ℃	±20	в
Я C	Ток коллектора @ т C =25 ℃ @ T C =80 ℃	400 225	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 MS	450	A
Р - Да.	Общее рассеяние мощности @ T j =175 ℃	1442	В

Не характеризуется

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в (БР )CES	Сборщик-выпускник Предельное напряжение	т j =25 ℃	1200			в
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃			400	НД

О характеристиках

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =9.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =225A,V GE =15В, т j =25 ℃		1.70	2.15	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =225A,V GE =15В, т j =125 ℃		2.00		в

Смена характеристик

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =225A, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j =25 ℃		251		NS
т р	Время нарастания			89		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			550		NS
т F	Время спада			125		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			/		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			/		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =225A, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j =125 ℃		305		NS
т р	Время нарастания			100		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			660		NS
т F	Время спада			162		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			15.1		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			35.9		mJ
C ies	Входной пропускной способностью	в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В		16.0		НФ
C - Да.	Выходной объем			0.84		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			0.73		НФ
Q g	Сбор за вход	в CC = 600 В,I C =225A, в GE =15В		2.1		μC
р Гинт	Внутренний резистор шлюза			3.3		Ω
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В, т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В		900		A

Диод -Инвертор т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ	Описание	GD225HTT120C7S	Единицы
в RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение @ T j =25 ℃	1200	в
Я F	Продолжающий ток @ T C =80 ℃	225	A
Я ФРМ	Повторяющийся пик прямого тока t Р =1 мс	450	A

Характеристики Ценности

Символ	Параметр	Условия испытаний		Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в F	Диод вперед Напряжение	Я F =225A, в GE =0В	т j =25 ℃		1.65	2.15	в
в F	Диод вперед Напряжение	Я F =225A, в GE =0В	т j =125 ℃		1.65		в
Q р	Восстановленная зарядка	Я F =225A, в р =600 В, р g =3,3Ω, в GE = 15 В	т j =25 ℃		22		μC
Q р	Восстановленная зарядка		т j =125 ℃		43		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		т j =25 ℃		160		A
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		т j =125 ℃		198		A
е rec	Обратное восстановление энергия		т j =25 ℃		11.2		mJ
е rec	Обратное восстановление энергия		т j =125 ℃		19.9		mJ

Электрический Характеристики из НТЦ т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Модуль IGBT

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в ИСО	Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту		2500		в
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		20		nH
р CC+EE	Противодействие свинца модуля е, Терминал к Кристаллу @ T C =25 ℃		1.10		мОм
р θ Д.К.	Соединение-Корпус (на каждый IGBT-инвертор) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р)			0.104 0.173	K/W
р θ КС	Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)		0.005		K/W
т jmax	Максимальная температура стыка			175	℃
т СТГ	температура хранения Запас хода	-40		125	℃
Монтаж Крутящий момент	Крепежный винт силового терминала:M6 Монтаж Винт:M5	3.0 3.0		6.0 6.0	Н.М
g	Вес Модуль		910		g