GD225HTL120C7S, Модуль IGBT, 6 в одном корпусе, STARPOWER

1200В 225А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD225HTL120C7S

Краткое введение

Модуль IGBT , произведено STARPOWER. 1200В 225А.

Особенности

Типичные применения

IGBT -Инвертор т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ	Описание	GD225HTL120C7S	Единицы
в CES	Напряжение коллектора-излучателя @ T j =25 ℃	1200	в
в ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	± 20	в
Я C	Коллекторный ток @ T C = 25℃ @ T C = 100℃	400 225	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 мс	450	A
Р - Да.	Общая рассеиваемость мощности @ T j = 175℃	1973	В

Не характеризуется

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в (БР )CES	Сборщик-выпускник Предельное напряжение	т j =25 ℃	1200			в
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃			400	НД

О характеристиках

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =9.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =225A,V GE =15В, т j =25 ℃		1.90	2.35	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =225A,V GE =15В, т j = 125℃		2.10		в

Смена характеристик

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
Q g	Сбор за вход	в GE =- 15…+15В		2.3		μC
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =225A, р g =5.0Ω,В GE = ± 15 В, т j =25 ℃		168		NS
т р	Время нарастания			75		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			440		NS
т F	Время спада			55		NS
е НА	Включение переключения Потеря			27.9		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			37.2		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =225A, р g =5.0Ω,В GE = ± 15 В, т j = 125℃		176		NS
т р	Время нарастания			75		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			510		NS
т F	Время спада			75		NS
е НА	Включение переключения Потеря			13.5		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			22.5		mJ
C ies	Входной пропускной способностью	в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В		16.6		НФ
C - Да.	Выходной объем			1.20		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность			0.78		НФ
Я SC	Данные SC	т s C ≤ 10 мс,В GE ≤ 15 В, т j =125 ℃ V CC =600 В, в СМК ≤ 1200В		1050		A
р Гинт	Внутренний резис ворот танцевать			1.0		Ω

Диод -Инвертор т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Максимальные номинальные значения

Символ	Описание	GD225HTL120C7S	Единицы
в RRM	Напряжение коллектора-излучателя @ T j =25 ℃	1200	в
Я F	Продолжающий ток @ T C =80 ℃	225	A
Я ФРМ	Повторяющийся пик прямого тока t Р =1 мс	450	A

Характеристики Ценности

Символ	Параметр	Условия испытаний		Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в F	Диод вперед Напряжение	Я F =225A, в GE =0В	т j =25 ℃		1.80	2.20	в
в F	Диод вперед Напряжение	Я F =225A, в GE =0В	т j = 125℃		1.85		в
Q р	Восстановленная зарядка	в р =600 В, Я F =225A, р g =5.0Ω, в GE =- 15В	т j =25 ℃		30		μC
Q р	Восстановленная зарядка		т j = 125℃		57		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		т j =25 ℃		195		A
Я RM	Пик обратный Ток восстановления		т j = 125℃		255		A
е rec	Обратное восстановление энергия		т j =25 ℃		10.8		mJ
е rec	Обратное восстановление энергия		т j = 125℃		22.5		mJ

Электрический Характеристики из НТЦ т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Модуль IGBT

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min	2500			в
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		20		nH
р CC + EE ’	Модуль сопротивления свинцу, терминал к чипу @ T C =25 ℃		1.1		м Ω
р θ Д.К.	Соединение с делом (на IG) БТ) Соединение с корпусом (на D) йода)			0.076 0.154	K/W
р θ КС	Складка-на-мыло (проводящая жирная смесь) применяется)		0.005		K/W
т jmax	Максимальная температура стыка			175	℃
т СТГ	Диапазон температур хранения	-40		125	℃
Монтаж Крутящий момент	Шпилька силового терминала:M5	3.0		6.0	Н.М
Монтаж Крутящий момент	Монтаж Винт: M6	3.0		6.0	Н.М
Вес	Вес из Модуль		910		g