Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD200SGL120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

400

A

200

Я CM (1)

Импульсный коллекторный ток нт

400

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

200

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 175℃

1875

В

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т j

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V, t=10ms, T j =125 ℃

6900

A 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

в

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5

Н.М

Монтаж Винт: M6

3 до 6

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

BV CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =4 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 ℃

1.8

в

Я C =200A,В GE =15В, т j = 125℃

2.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A,

р g =5Ω, V GE = ± 15V,

110

NS

т р

Время нарастания

60

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

т j =25 ℃

360

NS

т F

Время спада

в CC = 600 В,I C =200A,

р g =5Ω, V GE = ± 15V,

т j =25 ℃

60

NS

е НА

Включение переключения Потеря

18

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

15

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A,

р g =5Ω, V GE = ± 15 В,

т j = 125℃

120

NS

т р

Время нарастания

60

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

420

NS

т F

Время спада

70

NS

е НА

Включение переключения Потеря

21

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V, f=1MHz,

в GE =0В

18.0

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.64

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.72

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10μs, V GE =15 В,

т j =125 ℃ , V CC = 900 В,

в СМК ≤ 1200В

1080

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцовый

сопротивление, выход до Чип

т C =25 ℃

0.18

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A

т j =25 ℃

2.0

2.2

в

т j = 125℃

2.2

2.3

Q р

Обратный диод

Заряд восстановления

Я F =200A,

в р =600 В,

di/dt=-6000A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

24

μC

т j = 125℃

32

Я RM

Пиковый диод

Обратное восстановление ток

т j =25 ℃

240

A

т j = 125℃

280

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

6

mJ

т j = 125℃

10

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, pe r Модуль)

0.08

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (часть ДИОД, на модуль e)

0.17

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

Вес

Вес из Модуль

310

g