GD200HFT120C5S_G8, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT 1200 В

GD200HFT120C5S_G8, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 200А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C5S_G8

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Возможность короткого замыкания 10 мкм
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Максимальная температура соединения 175oC
Склад с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Инвертор для привода мотора
Усилитель сервоуправления AC и DC
Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	значение	единица
в CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	в
в ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	± 30	в
Я C	Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C = 100О C	310 200	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 мс	400	A
Р Д	Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 О C	1034	В

Диод

Символ	Описание	значение	единица
в RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1200	в
Я F	Диод непрерывно передний арендная плата	200	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	400	A

Модуль

Символ	Описание	значение	единица
т jmax	Максимальная температура стыка	175	О C
т - Я не знаю.	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +150	О C
т СТГ	температура хранения Запас хода	-40 до +125	О C
в ИСО	Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту	2500	в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C		1.70	2.15	в
		Я C =200A,В GE =15В, т j =125 О C		1.95
		Я C =200A,В GE =15В, т j =150 О C		2.00
в GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =8.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C	5.0	5.8	6.5	в
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C			400	НД
р Гинт	Внутренний портал сопротивления ance			1.0		Ω
C ies	Входной пропускной способностью	в СЕ =30В, f=1МГц, в GE =0В		18.2		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	в СЕ =30В, f=1МГц, в GE =0В		0.56		НФ
Q g	Сбор за вход	в GE =15В		1.20		μC
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.0Ω,V GE =±15В, т j =25 О C		213		NS
т р	Время нарастания			64		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			280		NS
т F	Время спада			180		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			4.10		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			16.3		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.0Ω,V GE =±15В, т j = 125О C		285		NS
т р	Время нарастания			78		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			363		NS
т F	Время спада			278		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			7.40		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			23.0		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.0Ω,V GE =±15В, т j = 150О C		293		NS
т р	Время нарастания			81		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			374		NS
т F	Время спада			327		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			8.70		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			25.2		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В, т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В		800		A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
в F	Диод вперед Напряжение	Я F =200A,В GE =0V,T j =25 О C		1.70	2.15	в
		Я F =200A,В GE =0V,T j = 125О C		1.65
		Я F =200A,В GE =0V,T j = 150О C		1.65
Q р	Восстановленная зарядка	в CC = 600 В,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, т j =25 О C		17.5		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			245		A
е rec	Обратное восстановление энергия			8.00		mJ
Q р	Восстановленная зарядка	в CC = 600 В,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, т j = 125О C		32.0		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			260		A
е rec	Обратное восстановление энергия			14.0		mJ
Q р	Восстановленная зарядка	в CC = 600 В,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V, т j = 150О C		37.5		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			265		A
е rec	Обратное восстановление энергия			15.3		mJ

НТЦ Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
р 25	Номинальное сопротивление			5.0		кΩ
∆R/R	Отклонение из р 100	т C = 100О C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
Р 25	Диссипация мощности				20.0	мВт
B 25/50	B-значение	р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		к

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся		30		nH
р CC+EE	Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип		2.20		мОм
р thJC	Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)			0.145 0.243	K/W
р thCH	Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)		0.064 0.107 0.02		K/W
м	Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5	3.0 2.5		6.0 5.0	Н.М
g	Вес из Модуль		200		g