Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD200HFT120C2S_T4F

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

300

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

1119

В

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Монтаж Крутящий момент

Крепежный винт силового терминала:M6

Монографный винт:M6

2,5 до 5.0

3,0 до 5.0

Н.М

Вес

Вес Модуль

300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =7.6 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.1

5.8

6.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 ℃

2.05

2.45

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 ℃

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =4.7Ω,V GE =±15В, т j =25 ℃

362

NS

т р

Время нарастания

112

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

378

NS

т F

Время спада

115

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

17.4

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

9.50

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =4.7Ω,V GE =±15В, т j = 125℃

364

NS

т р

Время нарастания

113

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

405

NS

т F

Время спада

125

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

21.5

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

15.4

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

12.3

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.69

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

800

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.35

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A

т j =25 ℃

1.95

2.35

в

т j =125 ℃

2.05

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =200A,

в р =600 В,

р g = 4,7Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

10.1

μC

т j =125 ℃

21.5

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

113

A

т j =125 ℃

170

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

5.07

mJ

т j =125 ℃

13.6