GD200HFT120C2S_G8, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT 1200 В

GD200HFT120C2S_G8,Модуль IGBT,STARPOWER

1200В 200А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C2S_G8

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.

Особенности

Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
Низкие потери при переключении
Возможность короткого замыкания 10 мкм
Склад с низкой индуктивностью
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Инвертор для привода мотора
Усилитель сервоуправления AC и DC
Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 ℃ если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Ценности	единица
в CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	в
в ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	± 30	в
Я C	Ток коллектора @ т C =25 ℃ @ T C = 100℃	330 200	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 MS	400	A
Р Д	Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃	1103	В

Диод

Символ	Описание	Ценности	единица
в RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1200	в
Я F	Диод непрерывно передний арендная плата	200	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	400	A

Модуль

Символ	Описание	Ценности	единица
т jmax	Максимальная температура стыка	175	℃
т - Я не знаю.	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +150	℃
т СТГ	температура хранения Запас хода	-40 до +125	℃
в ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	4000	в
м	Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6	2,5 до 5.0 3,0 до 5.0	Н.М

IGBT Характеристики т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, т j =25 ℃		1.70	2.15	в
		Я C =200A,В GE =15В, т j =125 ℃		1.95
		Я C =200A,В GE =15В, т j =150 ℃		2.00
в GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =8.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	в
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃			400	НД
р Гинт	Внутренний портал сопротивления ance			1.0		Ω
C ies	Входной пропускной способностью	в СЕ =30В, f=1МГц, в GE =0В		18.2		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	в СЕ =30В, f=1МГц, в GE =0В		0.56		НФ
Q g	Сбор за вход	в GE =15В		1.20		μC
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.0Ω,V GE =±15В, т j =25 ℃		213		NS
т р	Время нарастания			64		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			280		NS
т F	Время спада			180		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			4.10		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			16.3		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.0Ω,V GE =±15В, т j = 125℃		285		NS
т р	Время нарастания			78		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			363		NS
т F	Время спада			278		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			7.40		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			23.0		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.0Ω,V GE =±15В, т j = 150℃		293		NS
т р	Время нарастания			81		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			374		NS
т F	Время спада			327		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			8.70		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			25.2		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В, т j =150 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В		800		A

Диод Характеристики т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в F	Диод вперед Напряжение	Я C =200A,В GE =0V,T j =25 ℃		2.15	2.55	в
		Я C =200A,В GE =0V,T j = 125℃		2.20
		Я C =200A,В GE =0V,T j = 150℃		2.15
Q р	Восстановлено заряд	в р = 600 В,I F =200A, р g =3.0Ω, в GE = 15 В т j =25 ℃		16.2		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			169		A
е rec	Обратное восстановление энергия			10.2		mJ
Q р	Восстановлено заряд	в р = 600 В,I F =200A, р g =3.0Ω, в GE = 15 В т j = 125℃		24.4		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			204		A
е rec	Обратное восстановление энергия			16.2		mJ
Q р	Восстановлено заряд	в р = 600 В,I F =200A, р g =3.0Ω, в GE = 15 В т j = 150℃		31.4		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			222		A
е rec	Обратное восстановление энергия			19.4		mJ

Модуль Характеристики т C =25 ℃ если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся			20	nH
р CC+EE	Противодействие свинца модуля е, Терминал к Кристаллу		0.35		мОм
р θ Д.К.	Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)			0.136 0.194	K/W
р θ КС	Кассе-от-Упаковки (на IGBT) Кассе-от-Упаковки (на диод)		0.060 0.085		K/W
р θ КС	Сборка из коробки в раковину		0.035		K/W
g	Вес Модуль		300		g