Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

значение

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

в

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 О C

@ T C = 85 О C

285

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 О C

882

В

Символ

Описание

значение

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

в

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

О C

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C

1.70

2.15

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 О C

1.95

Я C =200A,В GE =15В, т j =150 О C

2.00

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C

5.0

5.9

6.5

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V,

т j =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C

200

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.0

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

17.0

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.55

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

1.07

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g = 1.0Ω,В GE =±15В, т j =25 О C

296

NS

т р

Время нарастания

77

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

391

NS

т F

Время спада

172

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

4.25

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

16.2

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g = 1.0Ω,В GE =±15В, т j = 125О C

272

NS

т р

Время нарастания

79

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

423

NS

т F

Время спада

232

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

6.45

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

22.6

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g = 1.0Ω,В GE =±15В, т j = 150О C

254

NS

т р

Время нарастания

80

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

430

NS

т F

Время спада

280

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

8.30

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

24.3

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

т j =150 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25 О C

1.70

2.15

в

Я F =200A,В GE =0V,T j = 125О C

1.65

Я F =200A,В GE =0V,T j = 150О C

1.65

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE = 15 В т j =25 О C

18.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

240

A

е rec

Обратное восстановление энергия

8.10

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE = 15 В т j = 125О C

33.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

250

A

е rec

Обратное восстановление энергия

14.5

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE = 15 В т j = 150О C

38.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

260

A

е rec

Обратное восстановление энергия

16.0

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

р CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.75

мОм

р thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.170

0.280

K/W

р thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.161

0.265

0.050

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

g

Вес из Модуль

150

g