Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD200HFL120C8SN

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

400

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

1724

В

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Шпилька силового терминала:M5

Крепёжный винт: M5

2,5 до 3.5

2,5 до 3.5

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 ℃

1.90

2.35

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j =25 ℃

365

NS

т р

Время нарастания

79

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

396

NS

т F

Время спада

165

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

8.00

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

14.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =3.3Ω,V GE =±15В, т j =125 ℃

372

NS

т р

Время нарастания

83

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

420

NS

т F

Время спада

293

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

11.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

22.3

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

14.9

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.04

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.68

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

1200

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

22

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.65

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

(чип)

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A

т j =25 ℃

1.80

2.25

в

т j =125 ℃

1.85

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =200A,

в р =600 В,

р g =3,3Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

17.2

μC

т j =125 ℃

35.3

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

160

A

т j =125 ℃

213

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

11.2

mJ

т j =125 ℃

21.2