Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD200HFL120C2S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

360

A

200

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 мс

400

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

200

A

Я ЧМ

Диод максимально протяженный арендная плата

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 175℃

1364

В

т j

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

в

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =8.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 ℃

1.90

2.35

в

Я C =200A,В GE =15В, т j = 125℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =5.1Ω,V GE = ± 15 В, т j =25 ℃

437

NS

т р

Время нарастания

75

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

436

NS

т F

Время спада

165

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

10.0

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

15.0

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =200A, р g =5.1Ω,V GE = ± 15V, т j = 125℃

445

NS

т р

Время нарастания

96

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

488

NS

т F

Время спада

258

NS

е НА

Включение переключения

Потеря

15.9

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

22.3

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

14.9

НФ

C - Да.

Выходной объем

1.04

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.68

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В, т j =125 ℃ V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В

1200

A

р Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

1.0

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления c Терминал на чип

т C =25 ℃

0.35

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A

т j =25 ℃

1.82

2.25

в

т j = 125℃

1.95

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =200A,

в р =600 В,

di/dt=-2370A/μs, в GE =- 15В

т j =25 ℃

16.6

μC

т j = 125℃

29.2

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

156

A

т j = 125℃

210

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

9.3

mJ

т j = 125℃

16.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IG) БТ)

0.11

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.14

K/W

р θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

Вес

Вес из Модуль

300

g