Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD200HFK60C8SN

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

600

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C =80 ℃

283

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 50℃

714

В

т jmax

Максимальная температура стыка

150

℃

т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

в

Монтаж Крутящий момент

Шпилька силового терминала:M5

Крепёжный винт: M5

2,5 до 3.5

2,5 до 3.5

Н.М

Вес

Вес Модуль

200

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

600

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =500μA, в СЕ = в GE , т j =25 ℃

3.5

4.5

5.5

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, т j =25 ℃

1.80

2.25

в

Я C =200A,В GE =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =200A, р g =6.8Ω,В GE =±15В, т j =25 ℃

320

NS

т р

Время нарастания

123

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

318

NS

т F

Время спада

90

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

2.79

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

5.08

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC =300V,I C =200A, р g =6.8Ω,В GE =±15В, т j =125 ℃

339

NS

т р

Время нарастания

125

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

344

NS

т F

Время спада

113

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

3.00

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

6.95

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =30В, f=1МГц,

в GE =0В

16.9

НФ

C - Да.

Выходной объем

0.88

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.42

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC =360V, в СМК ≤ 600 В

1800

A

Q g

Сбор за вход

в CC =400В, I C =200A, в GE =15В

0.72

μC

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.35

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

22

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.65

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A

т j =25 ℃

1.33

1.78

в

т j =125 ℃

1.30

Q р

Восстановлено

заряд

Я F =200A,

в р = 300 В,

р g =6.8Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

9.3

μC

т j =125 ℃

13.2

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

112

A

т j =125 ℃

125

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

2.09

mJ

т j =125 ℃

3.22

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

0.175

K/W

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.317

K/W