GD200HFK120C8SN, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT 1200 В

GD200HFK120C8SN, Модуль IGBT, STARPOWER

1200В 200А

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C8SN

Введение
Основные положения
Схема эквивалентной цепи

Введение

Краткое введение

Модуль IGBT ,произведено STARPOWER. 1200В 200А.

Особенности

технология NPT IGBT
Низкие потери при переключении
Возможность короткого замыкания 10 мкм
Склад с низкой индуктивностью
VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичные применения

Инвертор для привода мотора
Усилитель сервоуправления AC и DC
Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 О C если только иначе отмечено

IGBT

Символ	Описание	Ценности	единица
в CES	Напряжение коллектор-эмиттер	1200	в
в ГЭС	Напряжение затвор-эмиттер	±20	в
Я C	Коллекторный ток @ T C =25 О C @ T C =80 О C	300 200	A
Я CM	Импульсный ток коллектора t Р =1 мс	400	A
Р Д	Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 О C	1157	В

Диод

Символ	Описание	Ценности	единица
в RRM	Повторяющееся пиковое обратное напряжение	1200	в
Я F	Диод непрерывно передний арендная плата	200	A
Я ЧМ	Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс	400	A

Модуль

Символ	Описание	Ценности	единица
т jmax	Максимальная температура стыка	150	О C
т - Я не знаю.	Тепловая температура рабочего раздела	-40 до +125	О C
т СТГ	температура хранения Запас хода	-40 до +125	О C
в ИСО	Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин	2500	в

IGBT Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	единица
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, т j =25 О C		2.15	2.60	в
в CE (США)	Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение	Я C =200A,В GE =15В, т j =125 О C		2.65		в
в GE (т )	Предельный уровень выпускателя Напряжение	Я C =2.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 О C	4.8	5.7	6.3	в
Я CES	Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток	в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 О C			5.0	mA
Я ГЭС	Утечка излучателя ток	в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 О C			400	НД
р Гинт	Внутренний портал сопротивления ance			1.0		Ω
C ies	Входной пропускной способностью	в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В		12.9		НФ
C res	Обратная передача Пропускная способность	в СЕ =25В, f=1МГц, в GE =0В		0.82		НФ
Q g	Сбор за вход	в GE =- 15…+15В		2.05		μC
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =5.1Ω,V GE =±15В, т j =25 О C		373		NS
т р	Время нарастания			104		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			459		NS
т F	Время спада			168		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			12.9		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			17.1		mJ
т Д (НА )	Время задержки включения	в CC = 600 В,I C =200A, р g =5.1Ω,V GE =±15В, т j = 125О C		373		NS
т р	Время нарастания			105		NS
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )	Выключение Время задержки			475		NS
т F	Время спада			197		NS
е НА	Включить Переключение Потеря			17.4		mJ
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ	Выключатель Потеря			23.7		mJ
Я SC	Данные SC	т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В, т j =125 О C,V CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В		1500		A

Диод Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Условия испытаний	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы
в F	Диод вперед Напряжение	Я C =200A,В GE =0V,T j =25 О C		1.65	2.05	в
в F	Диод вперед Напряжение	Я C =200A,В GE =0V,T j =125 О C		1.65		в
Q р	Восстановлено заряд	в р = 600 В,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =- 15В т j =25 О C		17.7		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			145		A
е rec	Обратное восстановление энергия			8.1		mJ
Q р	Восстановлено заряд	в р = 600 В,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =- 15В т j =125 О C		34.0		μC
Я RM	Пик обратный Ток восстановления			190		A
е rec	Обратное восстановление энергия			16.7		mJ

Модуль Характеристики т C =25 О C если только иначе отмечено

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	единица
Л СЕ	Индуктивность отклоняющейся			22	nH
р CC+EE	Противодействие свинца модуля е, Терминал к Кристаллу		0.65		мОм
р thJC	Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на Di) (оде)			0.108 0.230	K/W
р thCH	Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)		0.135 0.288 0.046		K/W
м	Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
g	Вес из Модуль		200		g