Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD1600SGL120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

в

Я C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

2500

A

1600

Я CM(1)

Импульсный ток коллектора t Р = 1мс

3200

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

1600

A

Я ЧМ

Максимальный проходный ток диоды

3200

A

Р Д

Максимальная мощность Рассеяние @ т j =150 ℃

8.3

КВт

т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

т j

Максимальная температура стыка

150

℃

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Я 2t-значение, диод

в р =0V,t=10ms,T j =125 ℃

300

кА 2s

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

в

Монтаж

Крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

Н.М

Монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

BV CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ =V CES V GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

ток

в GE =V ГЭС V СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в ГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =64mA,V СЕ =V GE , т j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =1600A,V GE =15В, т j =25 ℃

1.8

в

Я C =1600A,V GE =15В, т j =125 ℃

2.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

Q GE

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

16.8

μC

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =1600A,

р g = 0,82Ω,

в GE =± 15V,T j =25 ℃

225

NS

т р

Время нарастания

105

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1100

NS

т F

Время спада

100

NS

е НА

Включить Потери при переключении

148

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

186

mJ

т d(on)

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =1600A,

р g = 0,82Ω,

в GE =± 15V,T j =125 ℃

235

NS

т р

Время нарастания

105

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1160

NS

т F

Время спада

105

NS

е НА

Включить Потери при переключении

206

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Потеря переключения при выключении

239

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

119

НФ

C - Да.

Выходной объем

8.32

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

5.44

НФ

Я SC

Данные SC

т s C ≤ 10 мс,В GE =15В,

т j =125 ℃ ,

в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200В

7000

A

р Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

0.1

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

р CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления - не Терминал на чип

т C =25 ℃

0.19

м Ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F =1600A

т j =25 ℃

2.1

в

т j =125 ℃

2.2

Q р

Восстановленная зарядка

Я F =1600A,

в р =600 В,

di/dt=-7500A/μs, в GE = 15 В

т j =25 ℃

73

μC

т j =125 ℃

175

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

510

A

т j =125 ℃

790

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

17

mJ

т j =125 ℃

46

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θJC

Сцепление с корпусом (IGBT часть, в Модуль)

15

К/кВт

р θJC

Сцепление с корпусом (диодная часть, в M) (отрывок)

26

К/кВт

р θCS

Сборка из коробки в раковину

(Применение проводящего жира, r Модуль)

6

К/кВт

Вес

Вес Модуль

1500

g