Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

GD1200HFL120C3S

Единицы

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я C

Ток коллектора @ т C =25 ℃

@ T C = 100℃

1900

1200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t Р =1 MS

2400

A

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

1200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t Р =1 мс

2400

A

Р Д

Максимальное рассеивание мощности @ T j =1 75℃

6.41

КВт

т jmax

Максимальная температура стыка

175

℃

т - Я не знаю.

Максимальная температура стыка

-40 до +150

℃

т СТГ

температура хранения Запас хода

-40 до +125

℃

в ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

в

м

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4

1.8 до 2.1

Крутящий момент соединения терминала, Винт М8

8,0 до 10

Н.М

Крутящий момент установки, Шуруп M6

4,25 - 5,75

g

Вес Модуль

1500

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

т j =25 ℃

1200

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т j =25 ℃

400

НД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =48.0 mA ,в СЕ = в GE , т j =25 ℃

5.4

7.4

в

в CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 1200А,В GE =15В, т j =25 ℃

1.95

2.40

в

Я C = 1200А,В GE =15В, т j =125 ℃

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 1200А, р Гон =2. 1Ω,R Гофф =4.5Ω, в GE =±15 V,T j =25 ℃

200

NS

т р

Время нарастания

135

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1050

NS

т F

Время спада

130

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

136

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

160

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C = 1200А, р Гон =2. 1Ω,R Гофф =4.5Ω, в GE =±15 V,T j = 125℃

220

NS

т р

Время нарастания

190

NS

т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

1150

NS

т F

Время спада

140

NS

е НА

Включить Переключение

Потеря

184

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

208

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25В, f=1МГц,

в GE =0В

84.8

НФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

3.76

НФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В

4500

A

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.7

Ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 1200A

т j =25 ℃

1.65

2.20

в

т j =125 ℃

1.75

Q р

Восстановлено

заряд

Я F = 1200А,

в р =600 В,

р Гон =2. 1Ω,

в GE = 15 В

т j =25 ℃

400

μC

т j =125 ℃

680

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

т j =25 ℃

1400

A

т j =125 ℃

1840

е rec

Обратное восстановление энергия

т j =25 ℃

160

mJ

т j =125 ℃

296

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

р θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

23.4

К/кВт

р θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) йода)

46.1

К/кВт

р θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

6

К/кВт