Модуль IGBT 1200 В

Символ

Описание

Ценности

единица

в CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

в

в ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

в

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я C

Коллекторный ток @ T F =75 О C

765

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор ток tp ограниченный От т vjop

2000

A

Р Д

Максимальное распределение мощности ация @ т F =75 О C ,т j =175 О C

1515

В

Символ

Описание

Ценности

единица

в RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение Возраст

1200

в

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

1000

A

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

765

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой ток tp ограниченный От т vjop

2000

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t Р = 10 мс @ T vj = 25О C @ T vj =150 О C

4100

3000

A

Я 2т

Я 2t- значение ,т Р =10 MS @ т vj =25 О C @ T vj =150 О C

84000

45000

A 2s

Символ

Описание

значение

единица

т jmax

Максимальная температура стыка

175

О C

т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

О C

т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

О C

в ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

в

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

в CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =1000A,V GE =15В, т vj =25 О C

1.45

1.90

в

Я C =1000A,V GE =15В, т vj =125 О C

1.65

Я C =1000A,V GE =15В, т vj =175 О C

1.80

в GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,в СЕ = в GE , т vj =25 О C

5.5

6.3

7.0

в

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ток

в СЕ = в CES ,в GE =0V, т vj =25 О C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя ток

в GE = в ГЭС ,в СЕ =0V, т vj =25 О C

400

НД

р Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

Ω

C ies

Входной пропускной способностью

в СЕ =25V,f=100kHz, в GE =0В

51.5

НФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.36

НФ

Q g

Сбор за вход

в GE =-15…+15V

13.6

μC

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =900A,

р g =0.51Ω, L s =40nH, в GE =-8V/+15V,

т vj =25 О C

330

NS

т р

Время нарастания

140

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

842

NS

т F

Время спада

84

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

144

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

87.8

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =900A,

р g =0.51Ω, L s =40nH, в GE =-8V/+15V,

т vj =125 О C

373

NS

т р

Время нарастания

155

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

915

NS

т F

Время спада

135

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

186

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

104

mJ

т Д (НА )

Время задержки включения

в CC = 600 В,I C =900A,

р g =0.51Ω, L s =40nH, в GE =-8V/+15V,

т vj =175 О C

390

NS

т р

Время нарастания

172

NS

т d(off)

Выключение Время задержки

950

NS

т F

Время спада

162

NS

е НА

Включить Переключение Потеря

209

mJ

е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

114

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤8μs,V GE =15В,

т vj =150 О C,V CC =800V,

в СМК ≤ 1200В

3200

A

т Р ≤6μs,V GE =15В,

т vj =175 О C,V CC =800V,

в СМК ≤ 1200В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

в F

Диод вперед Напряжение

Я F =1000A,V GE =0V,T vj =25 О C

1.60

2.05

в

Я F =1000A,V GE =0V,T vj =125 О C

1.70

Я F =1000A,V GE =0V,T vj =175 О C

1.60

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,т vj =25 О C

91.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

е rec

Обратное восстановление энергия

26.3

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,

т vj =125 О C

141

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

е rec

Обратное восстановление энергия

42.5

mJ

Q р

Восстановленная зарядка

в р = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, Л s =40 nH ,

т vj =175 О C

174

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

е rec

Обратное восстановление энергия

52.4

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

единица

р 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из р 100

т C =100 О C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

к

B 25/80

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

к

B 25/100

B-значение

р 2=R 25Эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

к

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

р CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

р ФНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,т F =75 О C

0.066 0.092

K/W

м

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

g

Вес из Модуль

400

g

Р

Максимальное давление в охлаждающем контуре

3

Штанга

∆p

Падение давления в системе охлаждения слюнка

∆V/∆t=10.0dm 3/мин;T F =25 О C;Охлаждающая жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль

47

мбар