Y50KFE, 비대칭 빠른 차단 사이리스터

빠른 차단

Y50KFE, 비대칭적인 빠른 다운 티리스터

부품 번호 Y50KFE-KT50cT

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기술 세미나

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Y50KFE-KT50cT

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소개
개요

소개

I T(AV)	1494A
V DRM	1200V~ 2000V
V RRM	1000V~ 1800V
T Q	15~ 55μs

특징

인터디지테이티드 증폭 게이트
빠른 턴온 및 높은 di/dt
저변화 손실

전형적 응용

인덕션 난방
전자 용접기
자기 소통 인버터

상징	특징	시험 조건			Tj(℃ )	가치			UNIT
상징	특징	시험 조건			Tj(℃ )	분	유형	최대	UNIT
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180° 반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,		TC=55℃	125			1494	A
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180° 반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,		TC=70℃	125			1243	A
VDRM	반복 피크 오프 상태 전압	tp=10ms			125	1200		2000	V
VRRM	반복 피크 역전압	tp=10ms			125	1000		1800	V
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VDRM에서 VRRM에서			125			80	mA
ITSM	서지 온 상태 전류	10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM			125			17	kA
I2t	퓨징 조정을 위한 I2t	10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	임계 전압				125			1.57	V
르티	온 상태 슬로프 저항				125			0.21	mΩ
VTM	피크 온 상태 전압	ITM=3000A, F=24kN	15μs≤tq≤28μs		25			2.50	V
VTM	피크 온 상태 전압	ITM=3000A, F=24kN	29μs≤tq≤55μs		25			2.10	V
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	VDM= 67%VDRM에서 1600A, 게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	회복 전하	ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V			125		750		μC
Tq	회로 전환 차단 시간	ITM= 1000A,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs			125	15		55	μs
IGT	게이트 트리거 전류	VA= 12V, IA= 1A			25	40		300	mA
Vgt	게이트 트리거 전압					0.9		3.0	V
IH	유지 전류					20		500	mA
IL	래칭 전류							1000	mA
VGD	비트리거 게이트 전압	VDM=67%VDRM			125			0.3	V
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 24kN						0.020	。C /W
Rth(c-h)	케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항	1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 24kN						0.005	。C /W
Fm	장착 힘					19		26	KN
TVj	접점 온도					-40		125	°C
TSTG	저장 온도					-40		140	°C
Wt	무게						440		g
개요	KT50cT