IGBT 모듈 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT 모듈,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

소개
개요

소개

간단한 소개 ction

IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1700V 650A

특징

낮은 V CE (위성 ) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단전장치 부산
V CE (위성 ) 와 양성 온도 계수
최대 접점 온도 175O C
재생을 위한 확대된 다이오드 작동
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판
고전력 및 열 사이클링 능력 ity

일반적 응용 프로그램

고전력 변환기
풍력 및 태양광
트랙션 드라이브

절대 최대 등급 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 주의

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1700	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	1300	A
전 D	최대 전력 분산 @ T j =175 O C	4.2	KW

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복 피크 역전압	1700	V
I F	다이오드 연속 전면 커 임대료	650	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	1300	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T jmax	최대 분기 온도	175	O C
T jop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +150	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분	4000	V

IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =650A,V GE =15V, T j =25 O C		1.90	2.35	V
		I C =650A,V GE =15V, T j =125 O C		2.35
		I C =650A,V GE =15V, T j =150 O C		2.45
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항 ance			2.3		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		72.3		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		1.75		NF
Q g	게이트 요금	V GE =- 15...+15V		5.66		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, V GE =±15V,T j =25 O C		468		NS
T R	상승 시간			86		NS
T D (끄다 )	그림 지연 시간			850		NS
T F	하강 시간			363		NS
이 에	켜 Switching 손실			226		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			161		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 125O C		480		NS
T R	상승 시간			110		NS
T D (끄다 )	그림 지연 시간			1031		NS
T F	하강 시간			600		NS
이 에	켜 Switching 손실			338		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			226		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R 고프 =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 150O C		480		NS
T R	상승 시간			120		NS
T D (끄다 )	그림 지연 시간			1040		NS
T F	하강 시간			684		NS
이 에	켜 Switching 손실			368		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			242		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2600		A

다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =650A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =650A,V GE =0V,T j = 125O C		1.98
		I F =650A,V GE =0V,T j = 150O C		2.02
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C		176		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			765		A
이 rec	역회복 에너지			87.4		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125O C		292		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			798		A
이 rec	역회복 에너지			159		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150O C		341		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			805		A
이 rec	역회복 에너지			192		mJ

NTC 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
ΔR/R	오차 of R 100	T C = 100 O C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		18		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로		0.30		mΩ
R thJC	부문별 (IGB당) T) 부대와 부대 (D당) 요오드)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)		13.5 26.9 4.5		K/kW
m	단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
g	무게 of 모듈		810		g