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간단한 소개ction
IGBT 모듈, STARPOWER에서 생산됨. 1700V 650A
특징
일반적 신청서
절대 최대 등급 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 주의
IGBT
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
VCES | 컬렉터-이미터 전압 | 1700 | V |
VGES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V |
IC | 콜렉터 전류 @ TC=25OC @ TC= 100OC | 1073 650 | A |
I센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t전=1ms | 1300 | A |
전D | 최대 전력 분산 @ Tj=175OC | 4.2 | KW |
다이오드
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
VRRM | 반복 피크 역전압 | 1700 | V |
IF | 다이오드 연속 전면 커임대료 | 650 | A |
IFm | 다이오드 최대 순방향 전류 t전=1ms | 1300 | A |
모듈
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
Tjmax | 최대 분기 온도 | 175 | OC |
Tjop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | OC |
TSTG | 보관 온도범위 | -40에서 +150 | OC |
Viso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1분 | 4000 | V |
IGBT 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
VCE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | IC=650A,VGE=15V, Tj=25OC |
| 1.90 | 2.35 |
V |
IC=650A,VGE=15V, Tj=125OC |
| 2.35 |
| |||
IC=650A,VGE=15V, Tj=150OC |
| 2.45 |
| |||
VGE(번째) | 게이트 발산자 문 전압 | IC=24.0mA,VCE=VGE, Tj=25OC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
ICES | 수집가 절단-끄다 전류 | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25OC |
|
| 5.0 | mA |
IGES | 게이트 발사자 누출 전류 | VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25OC |
|
| 400 | 부적절함 |
RGint | 내부 게이트 저항ance |
|
| 2.3 |
| Ω |
Cies | 입력 용량 | VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
Cres | 역전환 용량 |
| 1.75 |
| NF | |
Qg | 게이트 요금 | VGE=- 15...+15V |
| 5.66 |
| μC |
TD(에) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=650A, RGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,VGE=±15V,Tj=25OC |
| 468 |
| NS |
TR | 상승 시간 |
| 86 |
| NS | |
TD(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 850 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 363 |
| NS | |
이에 | 켜 Switching 손실 |
| 226 |
| mJ | |
이끄다 | 그림 전환 손실 |
| 161 |
| mJ | |
TD(에) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=650A, RGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,VGE=±15V,Tj= 125OC |
| 480 |
| NS |
TR | 상승 시간 |
| 110 |
| NS | |
TD(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 1031 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 600 |
| NS | |
이에 | 켜 Switching 손실 |
| 338 |
| mJ | |
이끄다 | 그림 전환 손실 |
| 226 |
| mJ | |
TD(에) | 턴온 지연 시간 |
VCC=900V,IC=650A, RGon= 1.8Ω,R고프=2.7Ω,VGE=±15V,Tj= 150OC |
| 480 |
| NS |
TR | 상승 시간 |
| 120 |
| NS | |
TD(끄다) | 그림 지연 시간 |
| 1040 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 684 |
| NS | |
이에 | 켜 Switching 손실 |
| 368 |
| mJ | |
이끄다 | 그림 전환 손실 |
| 242 |
| mJ | |
ISC |
SC 데이터 | T전≤ 10μs,VGE=15V, Tj=150OC,VCC= 1000V,VCEM≤1700V |
|
2600 |
|
A |
다이오드 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
VF | 다이오드 앞 전압 | IF=650A,VGE=0V,Tj=25OC |
| 1.85 | 2.30 |
V |
IF=650A,VGE=0V,Tj= 125OC |
| 1.98 |
| |||
IF=650A,VGE=0V,Tj= 150OC |
| 2.02 |
| |||
QR | 회복 전하 | VR=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15VTj=25OC |
| 176 |
| μC |
IRM | 피크 역전 회복 전류 |
| 765 |
| A | |
이rec | 역회복에너지 |
| 87.4 |
| mJ | |
QR | 회복 전하 | VR=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15V Tj= 125OC |
| 292 |
| μC |
IRM | 피크 역전 회복 전류 |
| 798 |
| A | |
이rec | 역회복에너지 |
| 159 |
| mJ | |
QR | 회복 전하 | VR=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE=- 15V Tj= 150OC |
| 341 |
| μC |
IRM | 피크 역전 회복 전류 |
| 805 |
| A | |
이rec | 역회복에너지 |
| 192 |
| mJ |
NTC 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
R25 | 등급 저항 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | 오차 of R100 | TC= 100 OC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
전25 | 전력 소산 |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | B값 | R2=R25경험치[B25/501/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B25/80 | B값 | R2=R25경험치[B25/801/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B25/100 | B값 | R2=R25경험치[B25/1001/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
모듈 특성 TC=25OC 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
LCE | 방랑 인덕턴스 |
| 18 |
| nH |
RCC+EE | 모듈 리드 저항,터미널에서 칩으로 |
| 0.30 |
| mΩ |
RthJC | 부문별 (IGB당)T) 부대와 부대 (D당)요오드) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
RthCH | 케이스-히트싱크 (perIGBT) 케이스-히트싱크 (per 다이오드) 케이스-히트싱크 (per모듈) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | 단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection토크, 스크루브 M8 장착 토크, 스크루브 M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.M |
g | 무게 of 모듈 |
| 810 |
| g |
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