IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

UNIT

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

VGES

게이트-이미터 전압

±20

V

IC

콜렉터 전류 @ TC=90OC

900

A

I센티미터

펄스 콜렉터 전류 t전=1ms

1800

A

전D

최대 전력 분산 @ Tj=175OC

3409

W

상징

설명

값

UNIT

VRRM

반복적 피크 역전압연령

1200

V

IF

다이오드 연속 전면 커임대료

900

A

IFm

다이오드 최대 순방향 전류 t전=1ms

1800

A

IFSM

서지 전류 t전=10ms @Tj=25OC   @ Tj=150OC

4100

3000

A

I2T

I2t값,t전=10ms @ Tj=25OC

@ Tj=150OC

84000

45000

A2s

상징

설명

가치

UNIT

Tjmax

최대 분기 온도

175

OC

Tjop

작동점 온도

-40에서 +150

OC

TSTG

보관 온도 범위

-40에서 +125

OC

Viso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t=1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

VCE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=900A,VGE=15V, Tj=25OC

1.40

1.85

V

IC=900A,VGE=15V, Tj=125OC

1.60

IC=900A,VGE=15V, Tj=175OC

1.65

VGE(번째)

게이트 발산자 문 전압

IC=24.0mA,VCE=VGE, Tj=25OC

5.5

6.3

7.0

V

ICES

수집가 절단-끄다

전류

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25OC

1.0

mA

IGES

게이트 발사자 누출 전류

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25OC

400

부적절함

RGint

내부 게이트 저항ance

0.5

Ω

Cies

입력 용량

VCE=25V,f=100kHz, VGE=0V

51.5

NF

Cres

역전환

용량

0.36

NF

Qg

게이트 요금

VGE=- 15...+15V

13.6

μC

TD(에)

턴온 지연 시간

VCC=600V,IC=900A,Rg=0.51Ω, Ls=40nH, VGE=-8V/+15V

Tj=25OC

330

NS

TR

상승 시간

140

NS

Td(off)

그림 지연 시간

842

NS

TF

하강 시간

84

NS

이에

켜 Switching

손실

144

mJ

이끄다

그림 전환

손실

87.8

mJ

TD(에)

턴온 지연 시간

VCC=600V,IC=900A,Rg=0.51Ω, Ls=40nH, VGE=-8V/+15V

Tj=125OC

373

NS

TR

상승 시간

155

NS

Td(off)

그림 지연 시간

915

NS

TF

하강 시간

135

NS

이에

켜 Switching

손실

186

mJ

이끄다

그림 전환

손실

104

mJ

TD(에)

턴온 지연 시간

VCC=600V,IC=900A,Rg=0.51Ω, Ls=40nH, VGE=-8V/+15V

Tj=175OC

390

NS

TR

상승 시간

172

NS

Td(off)

그림 지연 시간

950

NS

TF

하강 시간

162

NS

이에

켜 Switching

손실

209

mJ

이끄다

그림 전환

손실

114

mJ

ISC

SC 데이터

T전≤ 8μs,VGE=15V,

Tj=150OC,VCC=800V, VCEM ≤1200V

3200

A

T전≤6μs,VGE=15V,

Tj=175OC,VCC=800V, VCEM ≤1200V

3000

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

VF

다이오드 앞

전압

IF=900A,VGE=0V,Tj=25OC

1.55

2.00

V

IF=900A,VGE=0V,Tj=125OC

1.65

IF=900A,VGE=0V,Tj=175OC

1.55

QR

회복 전하

VR=600V,IF=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Ls=40nH,Tj=25OC

91.0

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

441

A

이rec

역회복 에너지

26.3

mJ

QR

회복 전하

VR=600V,IF=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Ls=40nH,Tj=125OC

141

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

493

A

이rec

역회복 에너지

42.5

mJ

QR

회복 전하

VR=600V,IF=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Ls=40nH,Tj=175OC

174

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

536

A

이rec

역회복 에너지

52.4

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R100

TC=100 OC,R100=493.3Ω

-5

5

%

전25

전력

소산

20.0

mW

B25/50

B값

R2=R25경험치[B25/501/T2-

1/(298.15K))]

3375

k

B25/80

B값

R2=R25경험치[B25/801/T2-

1/(298.15K))]

3411

k

B25/100

B값

R2=R25경험치[B25/1001/T2-

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

RCC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

RthJC

부문별 (IGB당)T)

커스 (D) 에 대한 연결오드)

0.044

0.076

K/W

RthCH

케이스-히트싱크 (perIGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe)r 다이오드)

케이스-히트싱크 (per모듈)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g