GD900HFA120C6S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =90 O C

900

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

3409

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1800

A

I FSM

서지 전류 t 전 =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C

4100

3000

A

I 2T

I 2t값,t 전 =10ms @ T j =25 O C

@ T j =150 O C

84000

45000

A 2s

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =900A,V GE =15V, T j =25 O C

1.40

1.85

V

I C =900A,V GE =15V, T j =125 O C

1.60

I C =900A,V GE =15V, T j =175 O C

1.65

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

역전환

용량

0.36

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

13.6

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V

T j =25 O C

330

NS

T R

상승 시간

140

NS

T d(off)

그림 지연 시간

842

NS

T F

하강 시간

84

NS

이 에

켜 Switching

손실

144

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

87.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V

T j =125 O C

373

NS

T R

상승 시간

155

NS

T d(off)

그림 지연 시간

915

NS

T F

하강 시간

135

NS

이 에

켜 Switching

손실

186

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

104

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V

T j =175 O C

390

NS

T R

상승 시간

172

NS

T d(off)

그림 지연 시간

950

NS

T F

하강 시간

162

NS

이 에

켜 Switching

손실

209

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

114

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 8μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

T 전 ≤6μs,V GE =15V,

T j =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

I F =900A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.65

I F =900A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.55

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T j =25 O C

91.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

441

A

이 rec

역회복 에너지

26.3

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T j =125 O C

141

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

493

A

이 rec

역회복 에너지

42.5

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T j =175 O C

174

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

536

A

이 rec

역회복 에너지

52.4

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.044

0.076

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g