IGBT 모듈 1700V

매개변수

상징

조건

분

최대

UNIT

컬렉터-이미터 전압

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

1700

V

DC 집합 전류

IC

TC =80°C

3600

A

피크 컬렉터 전류

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

7200

A

게이트-이미터 전압

VGES

-20

20

V

총 전력 손실

Ptot

TC =25°C,스위치당(IGBT)

17800

W

동전 전류

IF

3600

A

전류 최고

IFRM

tP=1ms

7200

A

전류

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사인파

18000

A

IGBT 단락 회로 SOA IGBT

tpsc

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

격리 전압

Visol

1분, f=50Hz

4000

V

접점 온도

TVj

175

°C

접합 작동 온도

TVj (op)

-50

150

°C

케이스 온도

Tc

-50

125

°C

보관 온도

TSTG

-50

125

°C

장착 모터

ms

4

6

Nm

MT1

8

10

MT2

2

3

매개변수

상징

조건

분

유형

최대

UNIT

집합 (- 방출기) 파괴 전압

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

V

수집기-출사기 포화 전압 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

2.5

V

TVj=125°C

3.0

V

Tvj=150°C

3.1

V

집합 차단 전류 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

TVj=125°C

100

mA

Tvj=150°C

170

mA

게이트 누설 전류 

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

부적절함

포트-에미터 임계 전압 

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

7.3

V

게이트 요금 

본부

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

21.0

μC

입력 용량 

시스

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

239

NF

출력 용량 

코스

20.9

역전환 용량 

크레스

9.24

턴온 지연 시간 

td(on)

VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, 

Tvj = 25 °C

1200

NS

Tvj = 125 °C

1500

Tvj = 150 °C

1600

상승 시간 

tr

Tvj = 25 °C

1400

Tvj = 125 °C

1600

Tvj = 150 °C

1700

차단 지연 시간 

td(off)

Tvj = 25 °C

3000

NS

Tvj = 125 °C

3500

Tvj = 150 °C

3700

하강 시간 

TF

Tvj = 25 °C

500

Tvj = 125 °C

560

Tvj = 150 °C

620

턴온 스위칭 손실 에너지 

EON

Tvj = 25 °C

2700

mJ

Tvj = 125 °C

2900

Tvj = 150 °C

3200

턴오프 스위칭 손실 에너지 

EOFF

Tvj = 25 °C

3800

mJ

Tvj = 125 °C

4100

Tvj = 150 °C

4400

단락 전류 

ISC

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V

10000

A