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간략한 소개
티리스터/다이오드 모듈,MTx1200,MFx1200，1200A,공기 냉각,TECHSEM에서 생산됨.
VRRM,VDRM | 유형 및 개요 | |
600V | MT3 수소수 | MFx1200-06-412F3 |
800V | MT3 수소수 | MFx1200-08-412F3 |
1000V | MT3 수소수 | MFx1200-10-412F3 |
1200V | MT3 수소수 | MFx1200-12-412F3 |
1400V | MT3 수소수 | MFx1200-14-412F3 |
1600V | MT3 수소수 | MFx1200-16-412F3 |
1800V | MT3 수소수 | MFx1200-18-412F3 |
1800V | MT1200-18-412F3G |
|
MTx는 모든종류 MTC, MTA, MTK
MFx는 어떤 타입을 뜻합니다.e의 MFC, 국무외국, MFK
특징
전형적 응용
상징 |
특징 |
시험 조건 | Tj(°C) | 가치 |
UNIT | ||
분 | 유형 | 최대 | |||||
IT(AV) | 평균 온 상태 전류 | 180°반 사인파 50Hz 단면 냉각, TC=60°C |
125 |
|
| 1200 | A |
IT(RMS) | RMS 온 상태 전류 |
|
| 1884 | A | ||
Idrm Irrm | 반복 피크 전류 | VDRM에서 VRRM에서 | 125 |
|
| 55 | mA |
ITSM | 서지 온 상태 전류 | VR=60%VRRM,t=10ms 반 사이스 | 125 |
|
| 26 | kA |
I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t | 125 |
|
| 3380 | 103A2s | |
VTO | 임계 전압 |
|
125 |
|
| 0.70 | V |
르티 | 온 상태 기울기 저항 |
|
| 0.14 | mΩ | ||
VTM | 피크 온 상태 전압 | ITM=3000A | 25 |
|
| 1.96 | V |
dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | 게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | 게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.8 |
| 3.0 | V | ||
IH | 유지 전류 | 10 |
| 200 | mA | ||
IL | 래칭 전류 |
|
| 1500 | mA | ||
VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | V |
Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 180에서°시노스 칩당 단면 냉각 |
|
|
| 0.048 | °C/W |
Rth(c-h) | 열 저항 케이스에서 방열판까지 | 180에서°시노스 칩당 단면 냉각 |
|
|
| 0.020 | °C/W |
비소 | 격리 전압 | 50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대) |
| 3000 |
|
| V |
Fm | 터미널 연결 토크 (M12) |
|
| 12.0 |
| 16.0 | N·m |
장착 토크 (M8) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m | |
TVj | 접점 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | 저장 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | 무게 |
|
|
| 3660 |
| g |
개요 | 412F3 | ||||||
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