MTx1200 MFx1200 MT1200 티리스터/다이오드 모듈, 물 냉각

물 냉각

MTx1200 MFx1200 MT1200,스리스터/다이오드 모듈,수냉식

1200A,600V~1800V,411F3

Brand:

기술 세미나

Spu:

MT1200 MFx1200 MT1200

Appurtenance:

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소개
개요
등가 회로 도식

소개

간략한 소개

티리스터/다이오드 모듈, MTx1200 MFx1200 MT1200，물 냉각，TECHSEM에서 생산됨.1200A.

VRRM,VDRM

유형 및 개요

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MT3 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5

MFx1200-06-411F3 MFx1200-08-411F3 MFx1200-10-411F3 MFx1200-12-411F3 MFx1200-14-411F3 MFx1200-16-411F3 MFx1200-18-411F3

MTx는 모든 종류의 MTC, MTA, MTK를 의미합니다.

MFx는 모든 종류의 MFC, MFA, MFK를 의미합니다.

특징

절연 장착 베이스 3000V~
압력 접촉 기술
증가된 전력 사이클링 능력
공간 및 중량 절약

전형적 응용

AC/DC 모터 드라이브
다양한 정류기
PWM 역전용 전류 공급

상징	특징	시험 조건	Tj(°C)	가치			UNIT
상징	특징	시험 조건	Tj(°C)	분	유형	최대	UNIT
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180°반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55°C	125			1200	A
IT(RMS)	RMS 온 상태 전류	180°반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55°C	125			1884	A
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VDRM에서 VRRM에서	125			55	mA
ITSM	서지 온 상태 전류	VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스	125			26.0	kA
I²T	퓨징 조정을 위한 I2t	VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스	125			3380	10³A²s
V_에	임계 전압		125			0.83	V
R_T	온 상태 기울기 저항		125			0.14	mΩ
V_TM	피크 온 상태 전압	ITM=3000A	25			1.88	V
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복	125			200	A/μs
I_GT	게이트 트리거 전류	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
V_GT	게이트 트리거 전압			0.8		3.0	V
I_H	유지 전류			10		200	mA
I_L	래칭 전류					1000	mA
V_GD	비트리거 게이트 전압	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
R_th(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	단면 냉각 칩당				0.048	°C/W
R_th(c-h)	열 저항 케이스에서 방열판까지	단면 냉각 칩당				0.018	°C/W
V_iso	격리 전압	50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)		3000			V
Fm	터미널 연결 토크 (M12)			12		16	N·m
Fm	장착 토크 (M8)			10		12	N·m
T_vj	접점 온도			-40		125	°C
T_STG	저장 온도			-40		125	°C
Wt	무게				3230		g
개요	411F3