IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =150 O C

7.40

KW

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1800

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

150

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +125

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =800A,V GE =15V, T j =25 O C

2.90

3.35

V

I C =800A,V GE =15V, T j =125 O C

3.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

53.1

NF

C res

역전환

용량

3.40

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

8.56

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =800A, R g = 1.3Ω

V GE =±15V, T j =25 O C

90

NS

T R

상승 시간

81

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

500

NS

T F

하강 시간

55

NS

이 에

켜 Switching

손실

36.8

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

41.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =800A, R g = 1.3Ω

V GE =±15V, T j = 125O C

115

NS

T R

상승 시간

92

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

550

NS

T F

하강 시간

66

NS

이 에

켜 Switching

손실

52.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

59.4

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

5200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

I F =800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j =25 O C

56

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

550

A

이 rec

역회복 에너지

38.7

mJ

Q R

회복 전하

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j = 125O C

148

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

920

A

이 rec

역회복 에너지

91.8

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

12

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.19

mΩ

R θ JC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

케이스-싱크 (IGBT당)

케이스-싱크 (다이오드당)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

케이스-싱크

6.0

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

무게 of 모듈

1500

g