IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

1000

600

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

3409

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

600

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1200

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =600A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =600A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C =600A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 15.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.7

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

62.1

NF

C res

역전환

용량

1.74

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

4.66

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

257

NS

T R

상승 시간

96

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

628

NS

T F

하강 시간

103

NS

이 에

켜 Switching

손실

37.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

51.5

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T j =125 O C

268

NS

T R

상승 시간

107

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

659

NS

T F

하강 시간

144

NS

이 에

켜 Switching

손실

53.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

77.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T j =150 O C

278

NS

T R

상승 시간

118

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

680

NS

T F

하강 시간

155

NS

이 에

켜 Switching

손실

58.9

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

82.4

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j =25 O C

61.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

280

A

이 rec

역회복 에너지

20.9

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 125O C

114

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

415

A

이 rec

역회복 에너지

43.1

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 150O C

128

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

443

A

이 rec

역회복 에너지

50.0

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 칩에 터미널

0.18

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.044

0.078

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.016

0.028

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M4 Terminal Connection 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g