IGBT 모듈 1200V

상징

설명

GD600SGL120C2S

유닛

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

950

A

600

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1200

A

I F

다이오드 연속 전류

600

A

I Fm

다이오드 최대의 앞회수 임대료

1200

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j = 175°C

3750

W

T SC

단축 도속 시간

10

μs

T jmax

최대 분기 온도

175

°C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

°C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

°C

I 2t값, 다이오드

V R =0V,t=10ms,T j =125 °C

74000

A 2s

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

장착 모터

신호 단자 나사:M4

1.1에서 2.0

전원 터미널 나사:M6

2.5에서 5.0

N.M

장착 스ikulu:M6

3.0에서 5.0

무게

무게 of 모듈

300

g

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V (BR )CES

수집자-출출자

피⌂크다운 전압

T j =25 °C

1200

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출

전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 °C

400

부적절함

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V GE (번째 )

게이트 발산자 문

전압

I C =24 mA ,V CE = V GE , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =600A,V GE =15V, T j =25 °C

1.9

V

I C =600A,V GE =15V, T j = 125°C

2.1

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =3Ω,

V GE = ± 15 V, T j =25 °C

200

NS

T R

상승 시간

62

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

510

NS

T F

하강 시간

V CC =600V,I C =600A, R g =3Ω,

V GE = ± 15 V, T j =25 °C

60

NS

이 에

팅 스위치

손실

39

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

48

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A,

R g =3Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125°C

210

NS

T R

상승 시간

65

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

600

NS

T F

하강 시간

75

NS

이 에

팅 스위치

손실

45

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

60

mJ

C ies

입력 용량

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

41.0

NF

C 소

출력 용량

3.1

NF

C res

역전환

용량

2.0

NF

I SC

SC 데이터

T s C ≤ 10μs,V GE =15V, T j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC + EE ’

모듈 리드 저항 e, 터미널에서 칩으로

T C =25 °C

0.18

m Ω

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =600A

T j =25 °C

1.8

2.4

V

T j = 125°C

1.9

2.5

Q R

다이오드 역전

회복 전하

I F =600A,

V R =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V

T j =25 °C

65

μC

T j = 125°C

100

I RM

다이오드 피크

역회복 전류

T j =25 °C

450

A

T j = 125°C

510

이 rec

역회복 에너지

T j =25 °C

35

mJ

T j = 125°C

42

상징

매개변수

전형적인.

최대.

유닛

R θ JC

융합체 (IGBT 부분, pe) r 모듈)

0.04

°C /W

R θ JC

접합부-케이스 (다이오드 부분, 모듈당 l)

0.09

°C /W

R θ CS

케이스-투-심크 (전도성 지방) )

0.035

°C /W