홈페이지 / 제품 / IGBT 모듈 / IGBT 모듈 1200V
간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 450A.
특징
일반적 신청서
IGBT 인버터 T C =25 °C 다른 사항이 없는 한
최대 등급 값
상징 | 설명 | GD450HTT120C7S | 유닛 |
V CES | 컬렉터-이미터 전압 @ T j =25 °C | 1200 | V |
V GES | 게이트-이미터 전압 | ± 20 | V |
I C | 콜렉터 전류 @ T C =25 °C @ T C =80 °C | 650 450 | A |
I 센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms | 900 | A |
전 tot | 총 전력 소산 @ T j =175 °C | 2155 | W |
T SC | 단회로 견딜 시간 @ T j =150 °C | 10 | μs |
특징이 없네요
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
V (BR) CES | 수집자-출출자 피⌂크다운 전압 | T j =25 °C | 1200 |
|
| V |
I CES | 수집가 절단 -끄다 전류 | V CE =V CES V GE =0V, T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
I GES | 게이트 발사자 누출 전류 | V GE =V GES V CE =0V, T j =25 °C |
|
| 400 | 부적절함 |
특징 에 관한 것
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
V GE (th) | 게이트 발산자 문 전압 | I C =18.0mA,V CE =V GE , T j =25 °C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | I C =450A,V GE =15V, T j =25 °C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
I C =450A,V GE =15V, T j =125 °C |
| 1.90 |
|
변신자 이스틱스
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
이 에 | 켜 Switching 손실 |
V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25 °C |
| 23.0 |
| mJ |
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 31.0 |
| mJ | |
이 tot | 총 전환 손실 |
| 54.0 |
| mJ | |
이 에 | 켜 Switching 손실 |
V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125 °C |
| 36.0 |
| mJ |
이 끄다 | 그림 전환 손실 |
| 48.0 |
| mJ | |
이 tot | 총 전환 손실 |
| 84.0 |
| mJ |
T d(on) | 턴온 지연 시간 | V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω, V GE = ± 15V, T j =25 °C |
| 160 |
| NS |
T R | 상승 시간 |
| 90 |
| NS | |
T D (끄다 ) | 그림 지연 시간 |
| 500 |
| NS | |
T F | 하강 시간 |
| 130 |
| NS | |
T d(on) | 턴온 지연 시간 | V CC =600V,I C =450A, R g =1.6Ω, V GE = ± 15V, T j =125 °C |
| 170 |
| NS |
T R | 상승 시간 |
| 100 |
| NS | |
T D (끄다 ) | 그림 지연 시간 |
| 570 |
| NS | |
T F | 하강 시간 |
| 160 |
| NS | |
C ies | 입력 용량 |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
| 32.3 |
| NF |
C 소 | 출력 용량 |
| 1.69 |
| NF | |
C res | 역전환 용량 |
| 1.46 |
| NF | |
I SC |
SC 데이터 | T s C ≤ 10μs,V GE ≤ 15V, T j =125 °C , V CC =900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1800 |
|
A |
R Gint | 내부 게이트 저항 |
|
| 1.7 |
| 오 |
Q g | 게이트 요금 | V GE =-15...+15V |
| 4.3 |
| μC |
다이오드 인버터 T C =25 °C 다른 경우 지혜로운 기록
최대 등급 값
상징 | 설명 | GD450HTT120C7S | 유닛 |
V RRM | 컬렉터-이미터 전압 @ T j =25 °C | 1200 | V |
I F | DC 정방향 전류 @ T C =80 °C | 450 | A |
I FRM | 반복 피크 전방 전류 t 전 = 1밀리초 | 900 | A |
I 2T | I 2t값,V R =0V, t 전 =10ms, T j = 125°C | 35000 | A 2s |
특성 가치
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | |
V F | 다이오드 앞 전압 | I F =450A,V GE =0V | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.15 | V |
T j =125 °C |
| 1.65 |
| ||||
Q R | 회복 전하 |
I F =450A, V R =600V, di/dt=-5200A/μs, V GE =-15V | T j =25 °C |
| 45.1 |
| NS |
T j =125 °C |
| 84.6 |
| ||||
I RM | 피크 역전 회복 전류 | T j =25 °C |
| 316 |
| A | |
T j =125 °C |
| 404 |
| ||||
이 rec | 역회복 에너지 | T j =25 °C |
| 21.1 |
| mJ | |
T j =125 °C |
| 38.9 |
|
전기적 특성 of NTC T C =25 °C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
R 25 | 등급 저항 |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | 오차 of R 100 | T C =100 °C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
전 25 | 전력 소산 |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B값 | R 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2-1/(2 98.1 5K))] |
| 3375 |
| k |
IGBT 모듈
상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 |
V iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min |
| 2500 |
| V |
L CE | 방랑 인덕턴스 |
| 20 |
| nH |
R CC + EE ’ | 모듈 리드 저항 칩에게 터미널 @ T C =25 °C |
| 1.1 |
| m Ω |
R θJC | 교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드) |
|
| 0.058 0.102 | K/W |
R θCS | 케이스-투-심크 (전도성 지방) ) |
| 0.005 |
| K/W |
T j | 최대 분기 온도 |
|
| 150 | °C |
T STG | 보관 온도 범위 | -40 |
| 125 | °C |
장착 토크 | 전원 단자 스ikulu:M5 | 3.0 |
| 6.0 | N.M |
장착 스ikulu:M6 | 3.0 |
| 6.0 | N.M | |
무게 | 무게 모듈 |
| 910 |
| g |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.