IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±30

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =95 O C

685

450

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

900

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

2206

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

450

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

900

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =450A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =450A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C =450A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 18.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.7

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

39.0

NF

C res

역전환 용량

1.26

NF

Q g

게이트 요금

V GE =15V

2.46

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =450A, R g = 1.5Ω

V GE =±15V, T j =25 O C

360

NS

T R

상승 시간

140

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

550

NS

T F

하강 시간

146

NS

이 에

켜 Switching 손실

11.5

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

48.0

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =450A, R g = 1.5Ω

V GE =±15V, T j = 125O C

374

NS

T R

상승 시간

147

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

623

NS

T F

하강 시간

178

NS

이 에

켜 Switching 손실

17.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

64.5

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =450A, R g = 1.5Ω

V GE =±15V, T j = 150O C

381

NS

T R

상승 시간

152

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

636

NS

T F

하강 시간

184

NS

이 에

켜 Switching 손실

19.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

69.0

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.72

2.12

V

I F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.73

I F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.74

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE =-15V, T j =25 O C

40.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

258

A

이 rec

역회복 에너지

19.0

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE =-15V, T j = 125O C

71.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

338

A

이 rec

역회복 에너지

39.1

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=3000A/μs,V GE =-15V, T j = 150O C

79.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

352

A

이 rec

역회복 에너지

41.8

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R θ JC

부문별 (IGB당) T) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.068 0.117

K/W

R θ CS

케이스-싱크 (IGBT당) 케이스-싱크 (다이오드당)

0.111 0.190

K/W

R θ CS

케이스-싱크

0.035

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

무게 모듈

300

g