IGBT 모듈 1200V

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =175 O C

1612

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

600

A

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

650

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =175 O C

920

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

650

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

300

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

600

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C

1.95

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 O C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =7.50 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

21.0

NF

C res

역전환

용량

1.20

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

2.60

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g = 1.3Ω

V GE =±15V, T j =25 O C

182

NS

T R

상승 시간

54

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

464

NS

T F

하강 시간

72

NS

이 에

켜 Switching

손실

10.6

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

25.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g = 1.3Ω

V GE =±15V, T j = 125O C

193

NS

T R

상승 시간

54

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

577

NS

T F

하강 시간

113

NS

이 에

켜 Switching

손실

16.8

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

38.6

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =300A, R g = 1.3Ω

V GE =±15V, T j = 150O C

203

NS

T R

상승 시간

54

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

618

NS

T F

하강 시간

124

NS

이 에

켜 Switching

손실

18.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

43.3

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1200

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I C = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I C = 300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.65

I C = 300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.65

Q R

회복

충전

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE =-15V, T j =25 O C

29

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

318

A

이 rec

역회복 에너지

18.1

mJ

Q R

회복

충전

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE =-15V, T j = 125O C

55

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

371

A

이 rec

역회복 에너지

28.0

mJ

Q R

회복

충전

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE =-15V, T j = 150O C

64

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

390

A

이 rec

역회복 에너지

32.8

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C = 300A,V GE =15V, T j =25 O C

1.45

1.90

V

I C = 300A,V GE =15V, T j =125 O C

1.60

I C = 300A,V GE =15V, T j =150 O C

1.70

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =4.8 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

17.1

NF

C res

역전환

용량

0.51

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15 ﹍+15V

2.88

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =300V,I C =300A, R g =2.4Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

88

NS

T R

상승 시간

40

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

294

NS

T F

하강 시간

43

NS

이 에

켜 Switching

손실

1.34

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

8.60

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =300V,I C =300A, R g =2.4Ω,

V GE =±15V, T j =125 O C

96

NS

T R

상승 시간

48

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

312

NS

T F

하강 시간

60

NS

이 에

켜 Switching

손실

1.86

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

10.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =300V,I C =300A, R g =2.4Ω,

V GE =±15V, T j =150 O C

104

NS

T R

상승 시간

48

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

318

NS

T F

하강 시간

60

NS

이 에

켜 Switching

손실

1.98

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

11.3

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤6μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650V

1500

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F = 300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

V

I F = 300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.50

I F = 300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.45

Q R

회복

충전

V R =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V T j =25 O C

14.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

209

A

이 rec

역회복 에너지

3.74

mJ

Q R

회복

충전

V R =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V T j =125 O C

26.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

259

A

이 rec

역회복 에너지

6.82

mJ

Q R

회복

충전

V R =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V T j =150 O C

30.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

275

A

이 rec

역회복 에너지

7.70

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R thJC

커스 (T1당) T2 IGBT)

커스 (D1,D2 Dio 당) de)

커스 (T3당) 에 대한 접합 T4 IGBT)

커스 (D3,D4 Dio에 따라) de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per T1,T2 IGBT)

케이스-열기 싱크장 (D1,D2당) 다이오드)

케이스-히트싱크 (per T3,T4 IGBT)

케이스-열기 싱크장 (D3,D4당) 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

340

g